MgB2バルク体の製造方法およびMgB2バルク体

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (2)：大渕美千栄 , 布施行夫
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2017097383
Publication number (International publication number)：2018193271
Patent number：6948692
Application date： May. 16, 2017
Publication date： Dec. 06, 2018
Claim (excerpt)：

【請求項1】元素としてのホウ素を含む原料粉末からホウ素バルク体を成型する成型工程と、固体または液体のマグネシウムと、前記ホウ素バルク体と、を容器内に配置する配置工程と、前記固体または液体のマグネシウムを気化させて、気体のマグネシウムと、前記ホウ素バルク体と、を反応させる反応工程と、を含み、前記反応工程では、前記固体または液体のマグネシウムが前記ホウ素バルク体に接触しない、MgB2バルク体の製造方法。

IPC (2)：

C01B 35/04 ( 200 6.01) , H01B 13/00 ( 200 6.01)

FI (2)：

C01B 35/04 ZAA C , H01B 13/00 565 Z

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (4)

特許第6511943号
二硼化マグネシウム超伝導材の合成
Gazette classification：公表公報 Application number：特願2002-564167 Applicant：アイオワ・ステイト・ユニバーシティ・リサーチ・ファウンデーション
MgB2の高密度化超伝導塊状体の製造方法、その関連した固体最終生成物及びそれらの使用
Gazette classification：公表公報 Application number：特願2002-590428 Applicant：エディソンソシエタペルアチオニ

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Cited by examiner (5)

特許第6511943号
二硼化マグネシウム超伝導材の合成
Gazette classification：公表公報 Application number：特願2002-564167 Applicant：アイオワ・ステイト・ユニバーシティ・リサーチ・ファウンデーション
MgB2の高密度化超伝導塊状体の製造方法、その関連した固体最終生成物及びそれらの使用
Gazette classification：公表公報 Application number：特願2002-590428 Applicant：エディソンソシエタペルアチオニ

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Article cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

Physica C, 2007, 460-462, p.581-582
気相拡散法によるMgB2の作製及びその超伝導特性
International Journal of Modern Physics B, 2009, Vol.23, No.17, p.3503-3508

Cited by examiner (4)

Physica C, 2007, 460-462, p.581-582
気相拡散法によるMgB2の作製及びその超伝導特性
International Journal of Modern Physics B, 2009, Vol.23, No.17, p.3503-3508

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