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J-GLOBAL ID:202103018806531755
多孔質アモルファスシリコン、多孔質アモルファスシリコンの製造方法および二次電池
Inventor:
,
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
楠 修二
Gazette classification:特許公報
Application number (International application number):2020539108
Patent number:6896261
Application date: Sep. 13, 2019
Claim (excerpt):
【請求項1】 平均粒径または平均支柱径が1nm〜100nmのラメラ構造または柱状構造を有していることを特徴とする多孔質アモルファスシリコン。
IPC (2):
C01B 33/02 ( 200 6.01)
, H01M 4/38 ( 200 6.01)
FI (2):
C01B 33/02 Z
, H01M 4/38 Z
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (8)
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