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J-GLOBAL ID：202103020216407913

光モジュールの製造方法及び光モジュール

Inventor： 石川 靖彦 ,  中井 哲弥 ,  佐々木 駿
Applicant, Patent owner： 株式会社SUMCO ,  国立大学法人豊橋技術科学大学
Agent (2)： 鷲頭 光宏 ,  緒方 和文
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2019137201
Publication number (International publication number)：2021021788
Application date： Jul. 25, 2019
Publication date： Feb. 18, 2021
Summary：

【課題】SOI基板を用いることなく光導波路及びゲルマニウムフォトダイオードを同一基板上にモノリシック集積することが可能な光モジュールの製造方法を提供する。【解決手段】光モジュールの製造方法は、基板10上に酸化シリコンからなる下部クラッド層20を形成する工程と、下部クラッド層20上に窒化シリコンからなるコア層30を形成する工程と、コア層30をパターニングして窒化シリコンコア31を形成する工程と、下部クラッド層20上に上部クラッド層40を形成して窒化シリコンコア31を覆う工程と、上部クラッド層40に開口41を形成して窒化シリコンコア31の終端部を露出させる工程と、上部クラッド層40をマスクとして開口41から露出する窒化シリコンコア31の終端部の上面にゲルマニウムフォトダイオード3を構成するゲルマニウムパターン50を選択的に形成する工程とを備える。【選択図】図2

Claim (excerpt)：

窒化シリコンコアを有する光導波路及び前記光導波路に接続されたゲルマニウムフォトダイオードを有する光モジュールの製造方法であって、 基板上に酸化シリコンからなる下部クラッド層を形成する工程と、 前記下部クラッド層上に窒化シリコンからなるコア層を形成する工程と、 前記コア層をパターニングして前記窒化シリコンコアを形成する工程と、 前記下部クラッド層上に上部クラッド層を形成して前記窒化シリコンコアを覆う工程と、 前記上部クラッド層に開口を形成して前記窒化シリコンコアの終端部を露出させる工程と、 前記上部クラッド層をマスクとして前記開口から露出する前記窒化シリコンコアの前記終端部の上面に前記ゲルマニウムフォトダイオードを構成するゲルマニウムパターンを選択的に形成する工程とを備えることを特徴とする光モジュールの製造方法。

IPC (5)：

G02B 6/132 ,  G02B 6/12 ,  H01L 31/023 ,  H01L 31/10 ,  H01L 31/108

FI (5)：

G02B6/132 ,  G02B6/12 301 ,  H01L31/02 D ,  H01L31/10 A ,  H01L31/10 C

F-Term (41)：

2H147AB05 ,  2H147AB09 ,  2H147AC01 ,  2H147BB02 ,  2H147EA12B ,  2H147EA13C ,  2H147EA14A ,  2H147EA14B ,  2H147EA14C ,  2H147EA15C ,  2H147EA32B ,  2H147FA03 ,  2H147FA09 ,  2H147FA27 ,  2H147FC01 ,  5F849AA04 ,  5F849AA06 ,  5F849AB03 ,  5F849BA10 ,  5F849BA18 ,  5F849BA28 ,  5F849BB01 ,  5F849CA02 ,  5F849CB03 ,  5F849CB10 ,  5F849CB18 ,  5F849DA02 ,  5F849DA06 ,  5F849DA44 ,  5F849FA05 ,  5F849FA12 ,  5F849GA04 ,  5F849HA13 ,  5F849JA14 ,  5F849LA01 ,  5F849XB05 ,  5F849XB15 ,  5F849XB24 ,  5F849XB37 ,  5F849XB39 ,  5F849XB51

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (4)

• 光デバイス及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2004-364292   Applicant：三星電子株式会社
• Ge系半導体装置、その製造方法及び光インターコネクトシステム
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2014-101628   Applicant：富士通株式会社, 技術研究組合光電子融合基盤技術研究所
• 光モジュールおよびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2016-079388   Applicant：日本電信電話株式会社
• 価数補償吸着層領域を備える光検出器およびその製造方法
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願2010-546731   Applicant：エージェンシーフォーサイエンス,テクノロジーアンドリサーチ

Cited by examiner (4)

• 光デバイス及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2004-364292   Applicant：三星電子株式会社
• Ge系半導体装置、その製造方法及び光インターコネクトシステム
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2014-101628   Applicant：富士通株式会社, 技術研究組合光電子融合基盤技術研究所
• 光モジュールおよびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2016-079388   Applicant：日本電信電話株式会社
• 価数補償吸着層領域を備える光検出器およびその製造方法
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願2010-546731   Applicant：エージェンシーフォーサイエンス,テクノロジーアンドリサーチ

Article cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• High performance, waveguide integrated Ge photodetectors

Cited by examiner (1)

• High performance, waveguide integrated Ge photodetectors