光デバイス及びその製造方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (2)：小野由己男 , 稲積朋子
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004364292
Publication number (International publication number)：2005182030
Application date： Dec. 16, 2004
Publication date： Jul. 07, 2005
Summary：

【課題】光導波路と光検出器が一体型に結合された光デバイス及びその製造方法を提供する。【解決手段】基板と、基板上に成長された第1単結晶成長層と、単結晶成長層上に形成されたクラッド層とコア層とを備える光導波路及び光導波路を進行する所定帯域の波長を有する光を吸収するためにクラッド層が露出されたコア層の所定部分に成長された第2単結晶成長層とを含む光ディバイスである。これにより、整列工程及びフリップ-チップボンディング等の付加工程が不要になって光デバイスのコストを低減することができる。又、光導波路と光検出器とが短絡されておらず、光導波路のコア部を光検出器にそのまま用いることにより製造工程が簡単であるだけではなく、光結合効率を向上させ得る。【選択図】図2

Claim (excerpt)：

基板と、前記基板上に成長された第1単結晶成長層と、前記第1単結晶成長層上に形成されたクラッド層とコア層とを備える光導波路と、前記光導波路を進行する所定帯域の波長を有する光を吸水するために前記クラッド層の一部が除去された前記コア層の所定部分に形成されたアンドーピング層と、前記アンドーピング層上に成長された第2単結晶成長層と、前記基板の一側面に形成されたn-型電極と、前記第2単結晶層に電気的に連結されたp-型電極とを含むことを特徴とする光デバイス。

IPC (2)：

G02B6/122 , H01L31/0232

FI (2)：

G02B6/12 B , H01L31/02 D

F-Term (9)：

2H047KA04 , 2H047MA07 , 5F088BA18 , 5F088BB01 , 5F088DA05 , 5F088GA04 , 5F088GA05 , 5F088JA14 , 5F088LA01

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

総合光学ガイドと、光検出器とを備えたオプトエレクトロニックデバイス
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-111916 Applicant：フランス・テレコム・エタブリセマン・オートノム・ドゥ・ドロワ・パブリック
光導波路端部ミラーの形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-056932 Applicant：日本電信電話株式会社
光インターコネクト装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-105632 Applicant：株式会社日立製作所

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