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J-GLOBAL ID：202103020477936581

剥離方法および結晶性酸化物膜の製造方法

Inventor：
鳥山 達矢

About 鳥山 達矢

, 
大島 孝仁

About 大島 孝仁


Applicant, Patent owner：
株式会社FLOSFIA

About 株式会社FLOSFIA


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2019208400
Publication number (International publication number)：2021080127
Application date： Nov. 19, 2019
Publication date： May. 27, 2021
Summary：
【課題】半導体装置等に有用なコランダム構造を有する結晶性酸化物の自立膜を工業的有利に得ることができる結晶性酸化物膜の製造方法および剥離方法を提供する。【解決手段】結晶成長面を有しており、かつコランダム構造を有している結晶成長用基板であって、前記結晶成長面に沿った第1の方向と、前記結晶成長面に沿い、かつ前記第1の方向に垂直または略垂直な方向である第2の方向とで、それぞれ異なる線熱膨張係数を有しており、前記第1の方向の線熱膨張係数が前記第2の方向の線熱膨張係数より大きい結晶成長用基板上に、剥離犠牲層を介して前記結晶成長用基板の主成分とは異なる主成分を含む結晶性酸化物膜を結晶成長により成膜するとともに、前記剥離犠牲層を用いて前記第2の方向から前記結晶性酸化物膜と前記結晶成長用基板とを剥離する。【選択図】図2
Claim (excerpt)：
結晶成長面を有しており、かつコランダム構造を有している結晶成長用基板であって、前記結晶成長面に沿った第1の方向と、前記結晶成長面に沿い、かつ前記第1の方向に垂直または略垂直な方向である第2の方向とで、それぞれ異なる線熱膨張係数を有しており、前記第1の方向の線熱膨張係数が前記第2の方向の線熱膨張係数より大きい結晶成長用基板上に、剥離犠牲層を介して前記結晶成長用基板の主成分とは異なる主成分を含む結晶性酸化物膜を結晶成長により成膜するとともに、前記剥離犠牲層を用いて前記第2の方向から前記結晶性酸化物膜と前記結晶成長用基板とを剥離することを含む結晶性酸化物膜の製造方法。
IPC (5)：
C30B 29/16 ,  C30B 33/00 ,  C23C 16/40 ,  H01L 21/365 ,  H01L 21/368
FI (5)：
C30B29/16 ,  C30B33/00 ,  C23C16/40 ,  H01L21/365 ,  H01L21/368 Z
F-Term (46)：
4G077AA02 ,  4G077AB02 ,  4G077BB10 ,  4G077DB01 ,  4G077ED04 ,  4G077EE07 ,  4G077FJ03 ,  4G077HA02 ,  4G077HA12 ,  4G077TA04 ,  4G077TK01 ,  4G077TK08 ,  4G077TK11 ,  4K030AA01 ,  4K030AA18 ,  4K030BA08 ,  4K030BA42 ,  4K030BB02 ,  4K030CA01 ,  4K030CA12 ,  4K030DA05 ,  4K030JA06 ,  4K030JA10 ,  4K030LA11 ,  4K030LA15 ,  5F045AB40 ,  5F045AC11 ,  5F045AC13 ,  5F045AC15 ,  5F045AC16 ,  5F045AC19 ,  5F045AE15 ,  5F045AE17 ,  5F045AE19 ,  5F045AE21 ,  5F045AF09 ,  5F045AF12 ,  5F045AF13 ,  5F045AF20 ,  5F045DA53 ,  5F045DP04 ,  5F045EK06 ,  5F053AA50 ,  5F053BB60 ,  5F053DD20 ,  5F053HH05
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (4)
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