MIS型半導体装置およびその製造方法

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Applicant, Patent owner：
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2018138093
Publication number (International publication number)：2019125771
Patent number：7101980
Application date： Jul. 24, 2018
Publication date： Jul. 25, 2019
Claim (excerpt)：

【請求項1】半導体層と絶縁体層と導電体層を有し、前記絶縁体層が前記半導体層と前記導電体層で挟まれたMIS型半導体装置であって、前記半導体層はダイヤモンドからなる半導体を含み、前記絶縁体層は単結晶の窒化ホウ素からなり、前記MIS型半導体装置のキャリアはホールである、MIS型半導体装置。

IPC (3)：

H01L 21/336 ( 200 6.01) , H01L 29/78 ( 200 6.01) , H01L 21/314 ( 200 6.01)

FI (2)：

H01L 29/78 301 B , H01L 21/314 A

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

ダイヤモンドトランジスタ及びその製造方法
Gazette classification：公表公報 Application number：特願2008-508329 Applicant：エレメントシックスリミテッド
電界効果トランジスタ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2007-018138 Applicant：日本電気株式会社
半導体装置の作製方法及び水素処理装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2004-091040 Applicant：独立行政法人産業技術総合研究所, アネルバ株式会社

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