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J-GLOBAL ID：202203006513621970

ダイヤモンド基板

Inventor： 野口 仁 ,  白井 省三 ,  牧野 俊晴 ,  小倉 政彦 ,  加藤 宙光 ,  川島 宏幸 ,  桑原 大輔 ,  山崎 聡 ,  竹内 大輔 ,  徳田 規夫 ,  猪熊 孝夫 ,  松本 翼
Applicant, Patent owner： 信越化学工業株式会社 ,  国立研究開発法人産業技術総合研究所 ,  国立大学法人金沢大学
Agent (2)： 好宮 幹夫 ,  小林 俊弘
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2022139657
Publication number (International publication number)：2022171727
Application date： Sep. 02, 2022
Publication date： Nov. 11, 2022
Summary：

【課題】転位欠陥を十分に低減することが可能なダイヤモンド基板の製造方法、高品質のダイヤモンド基板及びダイヤモンド自立基板を提供する。 【解決手段】下地表面にパターン状のダイヤモンドを設ける第一の工程と、第一の工程で設けたパターン状のダイヤモンドからダイヤモンドを成長させて、第一の工程で設けたパターン状のダイヤモンドにおけるパターン間隙にダイヤモンドを形成する第二の工程と、前記第一の工程で設けたパターン状のダイヤモンドを取り除き、第二の工程で形成したダイヤモンドからなるパターン状のダイヤモンドを形成する第三の工程と、第三の工程で形成したパターン状のダイヤモンドからダイヤモンドを成長させて、第三の工程で形成したパターン状のダイヤモンドにおけるパターン間隙にダイヤモンドを形成する第四の工程とを含むことを特徴とするダイヤモンド基板の製造方法。 【選択図】図1

Claim (excerpt)：

少なくとも一方の表面を構成する材料がダイヤモンドであるダイヤモンド基板であって、少なくとも一方の表面全体が、横方向成長ダイヤモンド、及び、横方向成長ダイヤモンドからの成長ダイヤモンドの少なくともいずれか一方で構成されたものであることを特徴とするダイヤモンド基板。

IPC (5)：

C30B 29/04 ,  C30B 25/02 ,  C23C 16/27 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/205

FI (5)：

C30B29/04 E ,  C30B25/02 P ,  C23C16/27 ,  H01L21/20 ,  H01L21/205

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• ダイヤモンド基板
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2011-159584   Applicant：国立大学法人金沢大学, アリオス株式会社, 独立行政法人産業技術総合研究所
• エピタキシャルダイヤモンド膜および自立したエピタキシャルダイヤモンド基板の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2008-268378   Applicant：AGDマテリアル株式会社