Pat
J-GLOBAL ID：201003063116449020

エピタキシャルダイヤモンド膜および自立したエピタキシャルダイヤモンド基板の製造方法

Inventor：
澤邊 厚仁

About 澤邊 厚仁

, 
千明 弘介

About 千明 弘介

, 
古滝 敏郎

About 古滝 敏郎


Applicant, Patent owner：
AGDマテリアル株式会社

About AGDマテリアル株式会社


Agent (1)： 本田 崇
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2008268378
Publication number (International publication number)：2010095408
Application date： Oct. 17, 2008
Publication date： Apr. 30, 2010
Summary：
【課題】成長面内における膜質および内部応力などが均一にして、完全性の高い、直径1インチ(2.54cm)以上の大面積の単結晶膜を得ることができるエピタキシャルダイヤモンド膜および自立したエピタキシャルダイヤモンド基板の製造方法を提供する。【解決手段】排気系51、マスフローコントローラ52を備え、装置中央部には、水冷台53上部に設置された下地基板40の上方に、直流電源56が接続された平板型陰極55が配置され、さらに、接地と浮動電位との切り替えが可能に構成された可動式のMo製シャッタ57を備えた平行平板型対向電極直流プラズマCVD装置50において、平行平板型対向電極55間に発生する直流プラズマを用いて、エピタキシャルダイヤモンド膜および自立したエピタキシャルダイヤモンド基板を製造する。【選択図】図3
Claim (excerpt)：
平行平板型対向電極間に発生する直流プラズマを用いることを特徴とするエピタキシャルダイヤモンド膜および自立したエピタキシャルダイヤモンド基板の製造方法。
IPC (4)：
C30B 29/04 ,  C23C 16/27 ,  C23C 16/503 ,  H01L 21/205
FI (4)：
C30B29/04 C ,  C23C16/27 ,  C23C16/503 ,  H01L21/205
F-Term (41)：
4G077AA02 ,  4G077AA03 ,  4G077BA03 ,  4G077DB07 ,  4G077EA02 ,  4G077EA04 ,  4G077EC09 ,  4G077ED06 ,  4G077EG25 ,  4G077HA05 ,  4G077TB07 ,  4G077TC01 ,  4G077TC03 ,  4G077TC06 ,  4G077TC08 ,  4G077TK01 ,  4K030AA10 ,  4K030AA17 ,  4K030BA28 ,  4K030BB02 ,  4K030FA01 ,  4K030FA10 ,  4K030HA13 ,  4K030JA05 ,  4K030JA09 ,  4K030JA10 ,  4K030JA11 ,  4K030KA18 ,  5F045AA08 ,  5F045AB07 ,  5F045AC01 ,  5F045AD12 ,  5F045AD13 ,  5F045AD14 ,  5F045AD15 ,  5F045AD16 ,  5F045AE15 ,  5F045AF02 ,  5F045AF06 ,  5F045AF10 ,  5F045EH09
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (1) Cited by examiner (5)
Show all
Article cited by the Patent：
Cited by examiner (2)

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM