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J-GLOBAL ID：202203016247014642

Ga2O3系半導体素子

Inventor： 東脇 正高 ,  中田 義昭 ,  上村 崇史 ,  ワン マンホイ ,  佐々木 公平 ,  脇本 大樹
Applicant, Patent owner： 国立研究開発法人情報通信研究機構 ,  株式会社タムラ製作所 ,  株式会社ノベルクリスタルテクノロジー
Agent (1)： 特許業務法人平田国際特許事務所
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2017088866
Publication number (International publication number)：2018186246
Patent number：7008293
Application date： Apr. 27, 2017
Publication date： Nov. 22, 2018
Claim (excerpt)：

【請求項1】 ドナーを含むGa2O3系結晶層と、 前記Ga2O3系結晶層の全体に形成されたN添加領域と、 を有する、 Ga2O3系半導体素子。

IPC (12)：

H01L 29/24 ( 200 6.01) ,  C30B 29/16 ( 200 6.01) ,  C30B 23/08 ( 200 6.01) ,  H01L 29/47 ( 200 6.01) ,  H01L 29/872 ( 200 6.01) ,  H01L 29/423 ( 200 6.01) ,  H01L 29/49 ( 200 6.01) ,  H01L 29/78 ( 200 6.01) ,  H01L 29/12 ( 200 6.01) ,  H01L 21/336 ( 200 6.01) ,  H01L 21/338 ( 200 6.01) ,  H01L 29/812 ( 200 6.01)

FI (14)：

H01L 29/24 ,  C30B 29/16 ,  C30B 23/08 M ,  H01L 29/48 M ,  H01L 29/48 D ,  H01L 29/86 301 D ,  H01L 29/86 301 M ,  H01L 29/86 301 E ,  H01L 29/58 G ,  H01L 29/78 653 A ,  H01L 29/78 652 T ,  H01L 29/78 652 J ,  H01L 29/78 301 B ,  H01L 29/80 B

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• Ga2O3系単結晶の高抵抗領域形成方法、並びに、結晶積層構造体及び半導体素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2014-160092   Applicant：株式会社タムラ製作所, 国立研究開発法人情報通信研究機構
• 窒化ガリウム系半導体電子デバイス、窒化ガリウム系半導体電子デバイスを作製する方法、エピタキシャル基板、及びエピタキシャル基板を作製する方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2008-314652   Applicant：住友電気工業株式会社
• 半導体素子及びその製造方法、並びに結晶積層構造体
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2016-129307   Applicant：株式会社タムラ製作所, 国立研究開発法人情報通信研究機構

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• First-principles study on electronic structure and optical properties of N-doped P-type β-Ga2O3