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J-GLOBAL ID：201703003184738799

半導体素子及びその製造方法、並びに結晶積層構造体

Inventor： 佐々木 公平 ,  倉又 朗人 ,  東脇 正高
Applicant, Patent owner： 株式会社タムラ製作所 ,  国立研究開発法人情報通信研究機構
Agent (4)： 平田 忠雄 ,  岩永 勇二 ,  遠藤 和光 ,  伊藤 浩行
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2016129307
Publication number (International publication number)：2016197737
Application date： Jun. 29, 2016
Publication date： Nov. 24, 2016
Summary：

【課題】放熱特性及び耐電圧性に優れたGa2O3系の半導体素子及びその製造方法、並びにその半導体素子の製造に用いることができる結晶積層構造体を提供する。【解決手段】一実施の形態として、0.05μm以上かつ10μm未満の厚さを有する、Ga2O3系結晶からなる下地基板11と、Ga2O3系結晶からなり、下地基板11上のエピタキシャル層12と、を有するショットキーダイオード10を提供する。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

0.05μm以上かつ10μm未満の厚さを有する、Ga2O3系結晶からなる下地基板と、 Ga2O3系結晶からなり、前記下地基板上のエピタキシャル層と、 を有する、半導体素子。

IPC (13)：

H01L 29/872 ,  C30B 29/16 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/329 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/78 ,  H01L 29/12 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/363 ,  H01L 21/365

FI (16)：

H01L29/86 301D ,  C30B29/16 ,  H01L21/28 301B ,  H01L29/86 301F ,  H01L29/86 301P ,  H01L29/78 301B ,  H01L29/78 652T ,  H01L29/78 653C ,  H01L29/78 658E ,  H01L29/78 658K ,  H01L29/86 301M ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/80 B ,  H01L21/20 ,  H01L21/363 ,  H01L21/365

F-Term (101)：

4G077AA03 ,  4G077BB10 ,  4G077DB01 ,  4G077ED06 ,  4G077FD02 ,  4G077HA06 ,  4G077HA12 ,  4M104AA03 ,  4M104BB05 ,  4M104BB06 ,  4M104BB14 ,  4M104FF13 ,  4M104GG03 ,  4M104HH20 ,  5F045AA03 ,  5F045AB40 ,  5F045BB16 ,  5F045CA15 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ01 ,  5F102GJ02 ,  5F102GJ03 ,  5F102GJ05 ,  5F102GJ09 ,  5F102GJ10 ,  5F102GK01 ,  5F102GL01 ,  5F102GS01 ,  5F102GT01 ,  5F102GT03 ,  5F102GT04 ,  5F103AA04 ,  5F103AA08 ,  5F103DD30 ,  5F103GG01 ,  5F103HH03 ,  5F103LL13 ,  5F103RR05 ,  5F110AA13 ,  5F110AA23 ,  5F110CC01 ,  5F110DD01 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE07 ,  5F110EE14 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110GG01 ,  5F110GG12 ,  5F110GG42 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK06 ,  5F110HK07 ,  5F110QQ14 ,  5F110QQ16 ,  5F140AA25 ,  5F140AA34 ,  5F140AC23 ,  5F140BA00 ,  5F140BC12 ,  5F140BD04 ,  5F140BD07 ,  5F140BD11 ,  5F140BD13 ,  5F140BF03 ,  5F140BF04 ,  5F140BF05 ,  5F140BF06 ,  5F140BF07 ,  5F140BF11 ,  5F140BF13 ,  5F140BF14 ,  5F140BF15 ,  5F140BF16 ,  5F140BF17 ,  5F140BJ01 ,  5F140BJ03 ,  5F140BJ04 ,  5F140BJ05 ,  5F140BJ07 ,  5F152LL03 ,  5F152LL07 ,  5F152LL09 ,  5F152LP01 ,  5F152LP07 ,  5F152MM02 ,  5F152MM04 ,  5F152MM05 ,  5F152NN01 ,  5F152NN27 ,  5F152NQ01

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (12)

• III-V族化合物半導体単結晶基板
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2005-014587   Applicant：住友電気工業株式会社
• 炭化ケイ素金属半導体電界効果トランジスタ及び炭化ケイ素の金属半導体電界効果トランジスタを製造する方法
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願2001-582844   Applicant：クリーインコーポレイテッド
• 半導体装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2009-017266   Applicant：新日本無線株式会社
• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2010-093260   Applicant：富士電機株式会社
• 窒化物半導体装置およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2007-244508   Applicant：パナソニック株式会社
• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-041808   Applicant：株式会社東芝
• 炭化珪素半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2012-009372   Applicant：富士電機株式会社
• 化合物半導体基板の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-365736   Applicant：住友化学株式会社
• 半導体発光素子及び半導体発光素子の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2005-285015   Applicant：三洋電機株式会社
• 温度センサ、温調装置、温度制御装置および温度制御方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2007-172964   Applicant：株式会社小松製作所
• ウエーハ基板片面研摩方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-337964   Applicant：信越化学工業株式会社
• 放熱性に優れた半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-343811   Applicant：古河電気工業株式会社