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J-GLOBAL ID：202303008324786216

解析方法、探針及びその製造方法、近接場光発生装置並びに解析システム

Inventor：
板坂 浩樹

About 板坂 浩樹

, 
篠崎 健二

About 篠崎 健二


Applicant, Patent owner：
国立研究開発法人産業技術総合研究所

About 国立研究開発法人産業技術総合研究所


Agent (3)： 小島 清路 ,  平岩 康幸 ,  鈴木 勝雅
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2022072532
Publication number (International publication number)：2023161897
Application date： Apr. 26, 2022
Publication date： Nov. 08, 2023
Summary：
【課題】近接場分光法を用いた試料解析を高感度で行う方法、探針及びその製造方法、近接場光発生装置並びに解析システムを提供する。 【解決手段】本発明は、近接場分光法により試料を解析する方法であり、試料20及び探針本体10の間に、試料20及び探針本体10の少なくとも一方に接触するように微小粒子部5を配置し、探針本体10及び微小粒子部5のうちの少なくとも微小粒子部5に光を照射して、微小粒子部5の表面で近接場光を発生させ、近接場光で照らされた試料20の表面で生じた散乱光又は蛍光を分光装置により解析する方法である。探針本体10と微小粒子部5とを一体化させるか、あるいは、探針本体10と微小粒子部5とを分離可能とすることができる。 【選択図】図1
Claim (excerpt)：
近接場分光法により試料を解析する方法であって、 前記試料及び探針本体の間に、前記試料及び前記探針本体の少なくとも一方に接触するように微小粒子部を配置し、前記探針本体及び前記微小粒子部のうちの少なくとも前記微小粒子部に光を照射して、該微小粒子部の表面で近接場光を発生させ、該近接場光で照らされた前記試料の表面で生じた散乱光又は蛍光を分光装置により解析する、解析方法。
IPC (4)：
G01Q 60/20 ,  G01N 21/17 ,  G01N 21/64 ,  G01N 21/65
FI (4)：
G01Q60/20 ,  G01N21/17 N ,  G01N21/64 G ,  G01N21/65
F-Term (38)：
2G043AA01 ,  2G043AA03 ,  2G043CA05 ,  2G043EA01 ,  2G043EA03 ,  2G043EA14 ,  2G043FA01 ,  2G043FA02 ,  2G043HA01 ,  2G043JA04 ,  2G043KA01 ,  2G043KA02 ,  2G043KA03 ,  2G043KA09 ,  2G043LA01 ,  2G043LA02 ,  2G043LA03 ,  2G043MA01 ,  2G043NA01 ,  2G059AA01 ,  2G059AA05 ,  2G059BB08 ,  2G059EE02 ,  2G059EE03 ,  2G059EE07 ,  2G059FF01 ,  2G059FF03 ,  2G059GG01 ,  2G059HH01 ,  2G059HH02 ,  2G059HH03 ,  2G059JJ05 ,  2G059JJ11 ,  2G059KK01 ,  2G059KK02 ,  2G059KK04 ,  2G059MM01 ,  2G059NN01
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (3)

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