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J-GLOBAL ID：201603015784026319

探針の製造方法及び探針

Inventor： 西 正之 ,  平尾 一之 ,  板坂 浩樹 ,  奥田 晃士 ,  森川 真理絵 ,  中田 靖 ,  中 庸行
Applicant, Patent owner： 国立大学法人京都大学 ,  株式会社堀場製作所
Agent (2)： 河野 英仁 ,  河野 登夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2015043766
Publication number (International publication number)：2016161548
Application date： Mar. 05, 2015
Publication date： Sep. 05, 2016
Summary：

【課題】金属ナノ構造体の大きさ及び形状を制御することができる探針の製造方法、及び探針を提供する。【解決手段】SPM用の探針12の先端へ集束イオンビームを照射することにより、探針12の先端部分の酸化膜を除去する。次に、探針12を塩化金酸水溶液(金属イオン含有溶液)3に浸漬させる。探針12の酸化膜が除去された部分にAuが析出し、Auナノ構造体(金属構造体)の集合体13が形成される。これにより、先端部分に金属構造体が形成された探針12が製造される。探針12はチップ増強ラマン散乱の測定に使用される。【選択図】図3

Claim (excerpt)：

金属が固着した探針を製造する方法であって、 半導体製のSPM(Scanning Probe Microscope )用探針の一部の酸化膜を除去し、 金属イオン含有溶液を前記探針に接触させることによって、前記探針に金属構造体を成長させること を特徴とする製造方法。

IPC (7)：

G01N 21/65 ,  C23C 18/31 ,  C23C 18/18 ,  C23C 18/38 ,  C23C 18/42 ,  G01Q 60/42 ,  G01Q 60/38

FI (7)：

G01N21/65 ,  C23C18/31 A ,  C23C18/18 ,  C23C18/38 ,  C23C18/42 ,  G01Q60/42 ,  G01Q60/38 111

F-Term (29)：

2G043DA05 ,  2G043EA03 ,  2G043GA03 ,  2G043GA07 ,  2G043GB01 ,  2G043GB02 ,  2G043GB05 ,  2G043GB16 ,  2G043GB19 ,  2G043HA01 ,  2G043HA02 ,  2G043JA01 ,  2G043JA02 ,  2G043KA09 ,  4K022AA01 ,  4K022AA34 ,  4K022AA46 ,  4K022BA01 ,  4K022BA03 ,  4K022BA08 ,  4K022BA18 ,  4K022BA31 ,  4K022CA03 ,  4K022CA11 ,  4K022CA12 ,  4K022DA01 ,  4K022DA03 ,  4K022DB01 ,  4K022DB19

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (15)

• レーザ照射による絶縁膜付き半導体基板の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-360836   Applicant：日立電線株式会社
• 特開平1-239912
  
• 金属酸化物を含むヘテロ接合を有する構造体
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2012-188977   Applicant：渡部行男
• プラズマエッチング装置およびプラズマエッチング方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2011-180960   Applicant：独立行政法人産業技術総合研究所, 株式会社三友製作所
• 特開平1-239912
  
• 走査型プローブ顕微鏡用プローブ及びそのプローブの作製方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2009-099728   Applicant：独立行政法人産業技術総合研究所, 学校法人関西学院, 株式会社堀場製作所
• 表面増強振動分光分析用プローブおよびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2007-128271   Applicant：キヤノン株式会社
• 集束イオンビ-ム加工装置およびエッチング加工方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-007029   Applicant：シャープ株式会社
• カンチレバーアレイのための、独立してアドレス可能な自己修正インク付け方法
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願2010-519992   Applicant：ノースウエスタンユニバーシティ
• 近視野光発生素子、近視野光記録装置、および近視野光顕微鏡
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-092276   Applicant：セイコーインスツルメンツ株式会社
• AFMピンセット、AFMピンセットの製造方法および走査型プローブ顕微鏡
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2007-165641   Applicant：アオイ電子株式会社, エスアイアイ・ナノテクノロジー株式会社
• カンチレバー製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2010-018431   Applicant：TDK株式会社
• プローブの作製方法およびプローブ、ならびに走査プローブ顕微鏡
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2010-193527   Applicant：日本電信電話株式会社
• 走査型プローブ顕微鏡用探針
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-342286   Applicant：セイコーインスツルメンツ株式会社
• 光学検出デバイスを作製する方法
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願2011-544935   Applicant：カルメド・ソシエタ・ア・レスポンサビリタ・リミタータ

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

• Electroless Deposition of Silver Onto Silicon as a Method of Preparation of Reproducible Surface-Enh
• In Situ Synthesis of Self-Assembled Gold Nanoparticles on Glass or Silicon Substrates through Reacti
• In Situ Synthesis of Self-Assembled Gold Nanoparticles on Glass or Silicon Substrates through Reacti
• アルゴンプラズマエッチングがシリコンへの金属微粒子無電解置換析出に及ぼす影響
• In Situ Synthesis of Self-Assembled Gold Nanoparticles on Glass or Silicon Substrates through Reacti