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J-GLOBAL ID：202303014780180141

正方晶系薄膜構造体

Inventor： 西尾 隆宏 ,  伊藤 啓太 ,  高梨 弘毅
Applicant, Patent owner： 株式会社デンソー ,  国立大学法人東北大学
Agent (1)： 弁理士法人ゆうあい特許事務所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2021132412
Publication number (International publication number)：2023026949
Application date： Aug. 16, 2021
Publication date： Mar. 01, 2023
Summary：

【課題】より特性の優れた構造の正方晶系薄膜構造体を提供する。 【解決手段】 支持基板10として、(100)面に対して所定のオフ角とされると共に、単原子層ステップ11が形成された主表面を有し、立方晶系に属する結晶構造のものを用いる。そして、支持基板10における主表面上に、単原子層ステップと対応する位置にスリット21が形成されたL1 0 型のFeNi規則合金にて構成されるFeNi規則合金薄膜20を形成する。 【選択図】図1A

Claim (excerpt)：

(100)面に対して所定のオフ角とされると共に、単原子層ステップ(11)が形成された主表面を有し、立方晶系に属する結晶構造を有した支持基板(10)と、 前記支持基板における前記主表面上に形成され、スリット(21)が形成された、前記単原子層ステップに対応する幅を持ったL1 0 型のFeNi規則合金にて構成されるFeNi規則合金薄膜(20)と、を有している、正方晶系薄膜構造体。

IPC (5)：

H01F 10/14 ,  H01F 1/06 ,  G11B 5/65 ,  G11B 5/73 ,  G11B 5/64

FI (5)：

H01F10/14 ,  H01F1/06 180 ,  G11B5/65 ,  G11B5/73 ,  G11B5/64

F-Term (11)：

5D006BB05 ,  5D006BB07 ,  5D006CB01 ,  5D006CB07 ,  5E040AA20 ,  5E040CA01 ,  5E040CA06 ,  5E049AA07 ,  5E049BA01 ,  5E049BA06 ,  5E049DB04

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 磁性薄膜および磁性薄膜を含む応用デバイス
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2014-129203   Applicant：富士電機株式会社, 国立大学法人東北大学
• 磁気抵抗素子及び磁気メモリ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2016-183305   Applicant：東芝メモリ株式会社
• RAMO4基板及び窒化物半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2017-102862   Applicant：パナソニック株式会社
• FeNi規則合金、FeNi規則合金の製造方法、および、FeNi規則合金を含む磁性材料
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2019-030740   Applicant：株式会社デンソー