磁気抵抗素子及び磁気メモリ

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (7)：永井浩之 , 中村行孝 , 佐藤泰和 , 朝倉悟 , 関根毅 , 赤岡明 , 鈴木順生
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2016183305
Publication number (International publication number)：2018049880
Application date： Sep. 20, 2016
Publication date： Mar. 29, 2018
Summary：

【課題】絶縁不良を抑制することが可能な磁気抵抗素子及び磁気メモリを提供する。【解決手段】本実施形態による磁気抵抗素子は、第1の層と、第1磁性層と、前記第1の層と前記第1磁性層との間に配置された第2磁性層と、前記第1磁性層と前記第2磁性層との間に配置された非磁性層と、少なくとも前記第1非磁性層の側面に配置された絶縁層と、を備え、前記第1の層は、Hf、Zr、Al、Cr、およびMgからなる第1群のうちの少なくとも1つの元素と、Ta、W、Mo、Nb、Si、Ge、Be、Li、Sn、Sb、およびPからなる第2群のうちの少なくとも1つの元素とを含み、前記絶縁層は、前記第1群のうちの少なくとも1つの元素を含む。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

第1の層と、第1磁性層と、前記第1の層と前記第1磁性層との間に配置された第2磁性層と、前記第1磁性層と前記第2磁性層との間に配置された非磁性層と、少なくとも前記非磁性層の側面に配置された絶縁層と、を備え、前記第1の層は、Hf、Zr、Al、Cr、およびMgからなる第1群のうちの少なくとも1つの元素と、Ta、W、Mo、Nb、Si、Ge、Be、Li、Sn、Sb、およびPからなる第2群のうちの少なくとも1つの元素とを含み、前記絶縁層は、前記第1群のうちの少なくとも1つの元素を含む磁気抵抗素子。

IPC (9)：

H01L 43/10 , H01L 43/08 , H01L 29/82 , H01L 21/824 , H01L 27/105 , H01F 10/12 , H01F 10/14 , H01F 10/16 , H01F 10/18

FI (9)：

H01L43/10 , H01L43/08 Z , H01L43/08 H , H01L29/82 Z , H01L27/10 447 , H01F10/12 , H01F10/14 , H01F10/16 , H01F10/18

F-Term (45)：

4M119BB01 , 4M119BB03 , 4M119CC05 , 4M119DD05 , 4M119DD06 , 4M119DD09 , 4M119DD17 , 4M119DD33 , 4M119DD45 , 4M119EE23 , 4M119EE27 , 4M119JJ02 , 4M119JJ13 , 4M119KK09 , 5E049AA01 , 5E049AA04 , 5E049AA07 , 5E049AC05 , 5E049BA08 , 5E049CB02 , 5E049DB12 , 5F092AA15 , 5F092AB08 , 5F092AC08 , 5F092AC12 , 5F092AD03 , 5F092AD23 , 5F092AD25 , 5F092BB10 , 5F092BB22 , 5F092BB23 , 5F092BB24 , 5F092BB36 , 5F092BB43 , 5F092BB44 , 5F092BB55 , 5F092BB81 , 5F092BC07 , 5F092BC12 , 5F092BE06 , 5F092CA09 , 5F092CA13 , 5F092CA14 , 5F092CA15 , 5F092CA17

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

磁気抵抗効果素子およびそれを用いた磁気ランダムアクセスメモリ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2007-248251 Applicant：株式会社東芝
磁気抵抗素子および磁気メモリ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2014-050858 Applicant：株式会社東芝, 国立大学法人東北大学
半導体記憶装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2012-069543 Applicant：株式会社東芝

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