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J-GLOBAL ID:202403018908777653

AlN単結晶の製造方法、AlN単結晶、およびAlN単結晶製造装置

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (2): 杉村 憲司 ,  福井 敏夫
Gazette classification:特許公報
Application number (International application number):2023023802
Publication number (International publication number):2023123390
Patent number:7448925
Application date: Feb. 17, 2023
Publication date: Sep. 05, 2023
Claim (excerpt):
【請求項1】 Alと、Fe、Ni、Cu、Co、Siのうちの少なくとも一種の元素とを含む合金を加熱、融解して前記合金の融液を形成する融液形成工程と、 前記融液の一部を冷却して前記融液に温度勾配を設けつつ、AlN単結晶を析出させる析出工程と、を含むAlN単結晶の製造方法であって、 前記析出工程では、前記融液内の高温部に窒素含有ガスを接触させるとともに、前記融液内の低温部にて単結晶のAlN種結晶又は結晶成長用の基板を保持することにより、前記高温部における前記融液への窒素の取り込みを継続しながら、前記低温部で前記AlN種結晶又は前記基板に前記AlN単結晶を析出させて、前記AlN単結晶を連続的に成長させることを特徴とするAlN単結晶の製造方法。
IPC (2):
C30B 29/38 ( 200 6.01) ,  C30B 19/02 ( 200 6.01)
FI (2):
C30B 29/38 C ,  C30B 19/02
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (4)
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