研究者

J-GLOBAL ID：201501020797515619 更新日: 2025年09月28日

吉原拓也

ヨシハラタクヤ | Yoshihara Takuya

所属機関・部署：
職名：教授
ホームページURL (1件)： http://cofre.synfoster.hokudai.ac.jp

研究分野 (1件)：その他

論文 (1件)：

K Takahashi, K Manabe, T Ikarashi, N Ikarashi, T Hase, T Yoshihara, H Watanabe, T Tatsumi, Y Mochizuki. Dual workfunction Ni-silicide/HfSiON gate stacks by phase-controlled full-silicidation (PC-FUSI) technique for 45nm-node LSTP and LOP devices. IEEE INTERNATIONAL ELECTRON DEVICES MEETING 2004, TECHNICAL DIGEST. 2004. 91-94

MISC (12件)：

吉原拓也. グローバルな知財の調達 (特集グローバルな知的財産戦略). 知財研フォーラム. 2013. 93. 15-20
久保行幸, 中村正之, 吉原拓也. 知財ビジネス交渉学(基礎)--交渉学のスゝメ (知財ビジネスアカデミー 2005年度プレコースを終えて). パテント. 2006. 59. 4. 93-95
吉原拓也. 授業法基礎:大学で知財を教える人への必須科目--考え抜く力 (知財ビジネスアカデミー 2005年度プレコースを終えて). パテント. 2006. 59. 4. 96-98
高橋健介, 間部謙三, 五十嵐多恵子, 五十嵐信行, 長谷卓, 吉原拓也, 渡部平司, 辰巳徹, 望月康則. 相制御Niフルシリサイド電極を用いたHfSiON高誘電率ゲート絶縁膜MOSFETの作製と電気特性の評価. 電気学会研究会資料. EFM, 電子材料研究会. 2005. 2005. 22. 31-35
K Manabe, K Takahashi, T Ikarashi, A Morioka, H Watanabe, T Yoshihara, T Tatsumi. Fully silicided NiSi gate electrodes on HNON gate dielectrics for low-power applications. JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS. 2005. 44. 4B. 2205-2209

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特許 (29件)：

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書籍 (1件)：

事業戦略と知的財産マネジメント
発明協会 2010 ISBN:4827109699

講演・口頭発表等 (5件)：

北海道大学の博士人材育成と博士のキャリアに関する課題
(文部科学省中央教育審議会大学分科会大学院部会(第119回) 2025)
博士課程学生のための就職ガイダンス
(大阪大学キャリアセンターガイダンス 2025)
北海道大学における博士人材育成の取組および博士人材コンソーシアムの取組
(内閣府大学支援フォーラムPEAKS博士人材の活躍に向けた産学官連携プラットフォームサブ会合第2弾 2025)
先端人材育成センターの活動紹介と問題提起
(北海道大学キャリア支援シンポジウム 2025)
北海道大学及び博士人材育成コンソーシアムでの博士人材育成の取組について
(未来共創イニシアティブ特別ウェビナー博士の力でビジネスを変える~企業の新たな価値創出に向けて~ 2025)

学位 (1件)：

博士(工学) (大阪大学)

委員歴 (1件)：

2025/06 - 現在文部科学省中央教育審議会臨時委員(大学院部会)

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