半導体装置およびその製造方法

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：尾身祐助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-198842
公開番号（公開出願番号）：特開2006-024594
出願日： 2004年07月06日
公開日（公表日）： 2006年01月26日
要約：

【課題】メタルゲート及びhigh-kゲート絶縁膜を有するCMOSにおいて、nMOS及びpMOSトランジスタの低しきい値化を実現する。【解決手段】 n型MISFET形成領域11のゲート絶縁膜3aはHfO2膜であり、メタルゲート電極4aは、TiN膜と、ゲート絶縁膜との界面に生成されたにゲート電極に含まれるIV族遷移金属と酸素を含むがシリコンは含まない界面層とからなり、その仕事関数はn型MISFETのゲート電極材料に適した4.0〜4.2eVである。p型MISFET形成領域12のゲート絶縁膜3bはHfSiO2/HfO2であり、メタルゲート電極4bはTiNと、ゲート絶縁膜との界面に形成されたにゲート電極に含まれるIV族遷移金属と酸素および金属的シリコン(Si0)からなる界面層とからなり、その仕事関数は、p型MISFETのゲート電極材料に適した4.9eVとなっている。【選択図】図7

請求項（抜粋）：

pチャネル型絶縁ゲート電界効果トランジスタを有し、そのトランジスタのゲート電極が導電性材料層と、該導電性材料層とゲート絶縁膜との界面に形成された界面層とを有しており、前記導電性材料層が主成分としてIV族遷移金属を含んでおり、前記界面層がIV族遷移金属と酸素と金属的シリコン(酸化数が0)とを含んでいることを特徴とする半導体装置。

IPC (6件)：

H01L 27/092 , H01L 21/823 , H01L 21/28 , H01L 29/78 , H01L 29/423 , H01L 29/49

FI (4件)：

H01L27/08 321D , H01L21/28 301R , H01L29/78 301G , H01L29/58 G

Fターム (75件)：

4M104BB29 , 4M104BB30 , 4M104BB36 , 4M104CC05 , 4M104DD03 , 4M104DD78 , 4M104DD83 , 4M104EE03 , 4M104EE09 , 4M104EE17 , 4M104FF13 , 4M104GG09 , 4M104GG10 , 4M104GG14 , 5F048AC03 , 5F048BA01 , 5F048BB08 , 5F048BB09 , 5F048BB10 , 5F048BB11 , 5F048BB12 , 5F048BB17 , 5F048BC06 , 5F048BE03 , 5F048BG13 , 5F048DA23 , 5F140AA00 , 5F140AA01 , 5F140AA06 , 5F140AB03 , 5F140AC01 , 5F140BA01 , 5F140BD01 , 5F140BD02 , 5F140BD05 , 5F140BD07 , 5F140BD09 , 5F140BD11 , 5F140BD13 , 5F140BD15 , 5F140BD17 , 5F140BE03 , 5F140BE09 , 5F140BE10 , 5F140BF01 , 5F140BF08 , 5F140BF10 , 5F140BG03 , 5F140BG04 , 5F140BG05 , 5F140BG09 , 5F140BG10 , 5F140BG11 , 5F140BG14 , 5F140BG28 , 5F140BG30 , 5F140BG33 , 5F140BG36 , 5F140BG40 , 5F140BG53 , 5F140BH15 , 5F140BJ01 , 5F140BJ08 , 5F140BK02 , 5F140BK05 , 5F140BK13 , 5F140BK21 , 5F140CB01 , 5F140CB04 , 5F140CB08 , 5F140CC03 , 5F140CC07 , 5F140CC08 , 5F140CC12 , 5F140CE07

引用特許：

審査官引用 (9件)

半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-358063 出願人：株式会社東芝
半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-112182 出願人：日本電気株式会社
高誘電率シリケート・ゲート誘電体
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-242453 出願人：テキサスインスツルメンツインコーポレイテツド

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