可撓性アモルファスIn-Ga-Zn-O薄膜トランジスタの性能への機械歪み誘導欠陥発生の効果

LIAO Po-Yung; CHANG Ting-Chang; CHANG Ting-Chang; SU Wan-Ching; CHEN Yu-Jia; CHEN Bo-Wei; HSIEH Tien-Yu; YANG Chung-Yi; HUANG Yen-Yu; CHANG Hsi-Ming; CHIANG Shin-Chuan

文献

J-GLOBAL ID：201702215902555375 整理番号：17A0848199

可撓性アモルファスIn-Ga-Zn-O薄膜トランジスタの性能への機械歪み誘導欠陥発生の効果

Effect of mechanical-strain-induced defect generation on the performance of flexible amorphous In-Ga-Zn-O thin-film transistors

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資料名：
巻： 9 号： 12 ページ： 124101.1-124101.4 発行年： 2016年12月
JST資料番号： F0599C ISSN： 1882-0778 CODEN： APEPC4 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：イギリス (GBR) 言語：英語 (EN)

この研究で我々は,可撓性アモルファスIn-Ga-Zn-O(a-InGaZnO)薄膜トランジスタの,性能への機械歪み誘導欠陥発生の効果を調べる。ドレイン電流-ゲート電圧(I_D-V_G)及び容量-電圧(C-V)移行曲線を,劣化挙動を解析するために測定する。I_D-V_G特性は引張または圧縮状態に関係なく,機械歪み下で明らかな負のシフトを示す。さらにC-V特性曲線は機械歪み下で余分の歪みまたは引き伸ばしと共に,左向きのシフトを示す。これはInGaZnOがこの機械歪下で追加の欠陥を発生すること,可撓性a-InGaZnO TFTでの,機械歪誘導酸素空格子点の発生に帰せられる現象を,指摘する。(翻訳著者抄録)

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トランジスタ

引用文献 (25件)：

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