文献

J-GLOBAL ID：201702226827542957   整理番号：17A0462197

自立GaN上へのrfプラズマ分子線エピタキシ法により成長させたAlN/GaN/AlN共鳴トンネルダイオード

AlN/GaN/AlN resonant tunneling diodes grown by rf-plasma assisted molecular beam epitaxy on freestanding GaN

著者 (9件)： Storm David F. (Electronics Science and Technology Division, Code 6852, U.S. Naval Research Laboratory, 4555 Overlook Avenue SW, Washington, DC 20375) ,  Growden Tyler A. (Department of Electrical and Computer Engineering, Ohio State University, Columbus, Ohio 43210) ,  Zhang Weidong (Department of Physics and Electrical Engineering, Wright State University, Dayton, Ohio 45435) ,  Brown Elliott R. (Department of Physics and Electrical Engineering, Wright State University, Dayton, Ohio 45435) ,  Nepal Neeraj (Electronics Science and Technology Division, Code 6852, U.S. Naval Research Laboratory, 4555 Overlook Avenue SW, Washington, DC 20375) ,  Katzer D. Scott (Electronics Science and Technology Division, Code 6852, U.S. Naval Research Laboratory, 4555 Overlook Avenue SW, Washington, DC 20375) ,  Hardy Matthew T. (Electronics Science and Technology Division, Code 6852, U.S. Naval Research Laboratory, 4555 Overlook Avenue SW, Washington, DC 20375) ,  Berger Paul R. (Department of Electrical and Computer Engineering, Ohio State University, Columbus, Ohio 43210) ,  Meyer David J. (Electronics Science and Technology Division, Code 6852, U.S. Naval Research Laboratory, 4555 Overlook Avenue SW, Washington, DC 20375)
資料名： Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena  (Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena)
巻： 35  号： 2  ページ： 02B110-02B110-4  発行年： 2017年03月 
JST資料番号： E0974A  ISSN： 2166-2746  CODEN： JVTBD9  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 室温での-2.5V~+5.5Vの1000回以上のバイアス掃引に対し,安定で再現性が良くヒステリシスがなく,負の微分抵抗(NDR)を示すAlN/GaN/AlN共鳴トンネルダイオードをrfプラスマ分子線エピタキシ法で成長させた。水素化物気相エピタキシ法で形成され,10⁶~10⁷cm^-2の貫通転位密度をもつ,自立型のGa極性のGaN基板上に,デバイス層を成長させた。再現性あるNDRは,転位密度の低い基板に促進されたと推論する。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *MBE成長 ,  プラズマ ,  *共鳴トンネルダイオード ,  *窒化アルミニウム ,  *窒化ガリウム ,  化合物半導体 ,  *半導体薄膜 ,  電気抵抗 ,  基板 ,  エピタクシー ,  *転位密度
準シソーラス用語： *プラズマMBE成長 ,  高周波プラズマ ,  負の微分抵抗 ,  微分抵抗 ,  水素化物気相エピタクシー ,  貫通転位密度

分類 (1件)： ダイオード  (NC03050R)

タイトルに関連する用語 (7件)： 自立 ,  GaN ,  RFプラズマ ,  分子線エピタキシ法 ,  成長 ,  AlN ,  共鳴トンネルダイオード