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J-GLOBAL ID：201702233972315134   整理番号：17A0865310

タングステン熱線触媒で発生したHラジカルを用いるホトレジスト除去のための酸素添加による除去均一性の強化

Enhancement of Removal Uniformity by Oxygen Addition for Photoresist Removal Using H Radicals Generated on a Tungsten Hot-Wire Catalyst

著者 (7件)： Yamamoto Masashi (Kagawa College) ,  Maejima Kazuma (Kagawa College) ,  Umemoto Hironobu (Shizuoka University) ,  Ohdaira Keisuke (Japan Advanced Institute of Science and Technology) ,  Shikama Tomokazu (Kagawa College) ,  Nishiyama Takashi (Osaka City University) ,  Horibe Hideo (Osaka City University)
資料名： Journal of Photopolymer Science and Technology  (Journal of Photopolymer Science and Technology)
巻： 29  号： 4  ページ： 639-642(J-STAGE)  発行年： 2016年 
JST資料番号： L0202A  ISSN： 0914-9244  CODEN： JSTEEW  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 著者らは,熱タングステン触媒上で水素および酸素の混合物を分解することによって生じるラジカルを用いた環境にやさしいホトレジスト除去法を検討した。結果は,ホトレジスト除去均一性が,最適量の酸素の添加で顕著に向上することを示す。更に条件を最適化することによって,除去均一性および包括的な除去率は,化学物質を用いたときに達成されるそれらに匹敵するようになるかもしれない。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *フォトレジスト ,  除去 ,  均一性 ,  強化 ,  酸素化 ,  ラジカル ,  水素 ,  遷移金属触媒 ,  *洗浄
準シソーラス用語： タングステン触媒 ,  プロセス強化 ,  酸素添加 ,  水素ラジカル ,  熱線 ,  *表面洗浄

著者キーワード (5件)： photoresist ,  removal ,  H radical ,  oxygen addition ,  environment

分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  その他の表面処理  (WC08070F)

引用文献 (11件)：

• 1. H. Morinaga, T. Futatsuki, T. Ohmi, E. Fuchita, M. Oda, and C. Hayashi, J. Electrochem. Soc., 142 (1995) 966.
• 2. T. Miura, M. Kekura, H. Horibe, and M. Yamamoto, J. Photopolym. Sci. Technol., 21 (2008) 311.
• 3. K. Shinagawa, H. Shindo, K. Kusaba, T. Koromogawa, J. Yamamoto, and M. Furukawa, Jpn. J. Appl. Phys., 40 (2001) 5856.
• 4. A. Izumi and H. Matsumura, Jpn. J. Appl. Phys., 41 (2002) 4639.
• 5. M. Yamamoto, H. Horibe, H. Umemoto, K. Takao, E. Kusano, M. Kase, and S. Tagawa, Jpn. J. Appl. Phys., 48 (2009) 026503.

タイトルに関連する用語 (8件)： タングステン ,  熱線 ,  触媒 ,  ラジカル ,  ホトレジスト ,  酸素添加 ,  均一性 ,  強化