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J-GLOBAL ID：201702238247848749   整理番号：17A0550226

熱電素子応用を目指したn型Ge_0.94Sn_0.06単結晶薄膜の基礎物性評価

著者 (10件)： 岩橋泰正 (名大 院) ,  黒澤昌志 (名大 院) ,  黒澤昌志 (名大 高等研究院) ,  黒澤昌志 (JST-さきがけ) ,  内田紀行 (産業技術総合研) ,  大石佑治 (大阪大 工) ,  前田辰郎 (産業技術総合研) ,  中塚理 (名大 院) ,  財満鎭明 (名大 院) ,  財満鎭明 (名大 未来研)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 64th  ページ： ROMBUNNO.16p-412-15  発行年： 2017年03月01日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2436-7613  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *熱電素子 ,  *N型半導体 ,  *スズ化合物 ,  *ゲルマニウム化合物 ,  *単結晶 ,  *半導体薄膜 ,  エネルギー変換 ,  効率 ,  熱伝導率 ,  電気伝導率 ,  輸送係数 ,  熱起電力 ,  低温 ,  MBE成長 ,  膜厚 ,  焼なまし ,  温度依存性 ,  アンチモン ,  ドーピング ,  エネルギーハーベスティング ,  Seebeck係数
準シソーラス用語： 高効率

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  熱電デバイス  (NC03090J)

タイトルに関連する用語 (5件)： 熱電素子 ,  応用 ,  単結晶薄膜 ,  基礎 ,  物性評価