原子プローブトモグラフィーによる多結晶ケイ素中のヒ素の粒界に沿っての拡散に及ぼすリンまたはホウ素のプレドーピングの効果

TAKAMIZAWA Hisashi; TAKAMIZAWA Hisashi; SHIMIZU Yasuo; INOUE Koji; NOZAWA Yasuko; TOYAMA Takeshi; YANO Fumiko; INOUE Masao; NISHIDA Akio; NAGAI Yasuyoshi

文献

J-GLOBAL ID：201702287030108904 整理番号：17A0717974

原子プローブトモグラフィーによる多結晶ケイ素中のヒ素の粒界に沿っての拡散に及ぼすリンまたはホウ素のプレドーピングの効果

Predoping effects of boron and phosphorous on arsenic diffusion along grain boundaries in polycrystalline silicon investigated by atom probe tomography

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資料名：
巻： 9 号： 10 ページ： 106601.1-106601.4 発行年： 2016年10月
JST資料番号： F0599C ISSN： 1882-0778 CODEN： APEPC4 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：イギリス (GBR) 言語：英語 (EN)

多結晶Si中のAsの拡散に及ぼすPおよびBの効果を原子プローブトモグラフィーによって調べた。全ての試料において,高濃度のAsが結晶粒界で見出され,これはこのような境界が主な拡散の経路であることを示している。しかし,Asの結晶粒界拡散はBをドープした試料では抑制され,Pをドープした試料では強まる。PおよびAsを共ドープした試料では,As拡散は若干強まり,その原因は二つのドーパントの間の競合を示している。けっかは,Asの結晶粒界拡散はPまたはBの局所的濃度を変えることによって制御できることを示唆している。(翻訳著者抄録)

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固体中の拡散一般

引用文献 (20件)：

J. A. Croon, G. Storms, S. Winkelmeier, I. Pollentier, M. Ercken, S. Decoutere, W. Sansen, and H. E. Maes, IEDM Tech. Dig., 2002, p. 307.
J. D. Plummer, M. D. Deal, and P. B. Griffin, Silicon VLSI Technology: Fundamentals, Practice, and Modeling (Prentice-Hall, New York, 2000) Modern CMOS Technology, Chap. 2.
T. Yaguchi, M. Konno, T. Kamino, and M. Watanabe, Ultramicroscopy 108, 1603 (2008).
G. Servanton, R. Pantel, M. Juhel, and F. Bertin, Micron 40, 543 (2009).
K. Inoue, F. Yano, A. Nishida, H. Takamizawa, T. Tsunomura, Y. Nagai, and M. Hasegawa, Appl. Phys. Lett. 95, 043502 (2009).

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