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文献
J-GLOBAL ID：200902143518768678
整理番号：01A1027766 PrOx高誘電率ゲート絶縁膜のPLDによる作製と評価
Preparation of PrOx high-k gate insulator by PLD and its characterization.
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北井聡
(大阪大 大学院基礎工学研究科)
, 大阪大 大学院基礎工学研究科 について
寒川雅之
(大阪大 大学院基礎工学研究科)
, 大阪大 大学院基礎工学研究科 について
神田浩文
(大阪大 大学院基礎工学研究科)
, 大阪大 大学院基礎工学研究科 について
金島岳
(大阪大 大学院基礎工学研究科)
, 大阪大 大学院基礎工学研究科 について
奥山雅則
(大阪大 大学院基礎工学研究科)
大阪大 大学院基礎工学研究科 について
資料名：
電気学会電子材料研究会資料
(電気学会研究会資料)
電気学会電子材料研究会資料 について
巻： EFM-01 号： 6-13 ページ： 43-47 発行年： 2001年09月21日
JST資料番号： Z0970A 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 日本語 (JA)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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次世代ULSIの高誘電率ゲート絶縁膜用の均質なPrO<sub...
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シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
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*酸化プラセオジム
,...
酸化プラセオジム について
分類 (2件)：
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
固体デバイス材料
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
(NC03020K)
, 酸化物薄膜
固体デバイス材料 について
(BK14050P)
酸化物薄膜 について
引用文献 (12件)：
- IWAI, H. 応用物理. 2000, 69, 4
- WU, Y. H. IEEE Electron Device Lett. 2000, 21, 341
- KINGON, A. Proc. MRS Workshop on High-k Gate Dielectrics, 2000. 2000, 31
- QI, W. Tech. Dig. IEDM'99, Washington DC. 1999, 145
- WILK, G. D. Appl. Phys. Lett. 1999, 74, 2854
タイトルに関連する用語 (5件)：
タイトルに関連する用語
J-GLOBALで独自に切り出した文献タイトルの用語をもとにしたキーワードです
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高誘電率
, 高誘電率 について
ゲート絶縁膜
, ゲート絶縁膜 について
PLD
, PLD について
作製
, 作製 について
評価
評価 について
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