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文献
J-GLOBAL ID:200902143518768678   整理番号:01A1027766

PrOx高誘電率ゲート絶縁膜のPLDによる作製と評価

Preparation of PrOx high-k gate insulator by PLD and its characterization.
著者 (5件):
資料名:
巻: EFM-01  号: 6-13  ページ: 43-47  発行年: 2001年09月21日 
JST資料番号: Z0970A  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
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次世代ULSIの高誘電率ゲート絶縁膜用の均質なPrO<sub...
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分類 (2件):
分類
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固体デバイス材料  ,  酸化物薄膜 
引用文献 (12件):
  • IWAI, H. 応用物理. 2000, 69, 4
  • WU, Y. H. IEEE Electron Device Lett. 2000, 21, 341
  • KINGON, A. Proc. MRS Workshop on High-k Gate Dielectrics, 2000. 2000, 31
  • QI, W. Tech. Dig. IEDM'99, Washington DC. 1999, 145
  • WILK, G. D. Appl. Phys. Lett. 1999, 74, 2854
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タイトルに関連する用語 (5件):
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