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J-GLOBAL ID：200902143518768678   整理番号：01A1027766

PrO_x高誘電率ゲート絶縁膜のPLDによる作製と評価

Preparation of PrO_x high-k gate insulator by PLD and its characterization.

著者 (5件)： 北井聡 (大阪大 大学院基礎工学研究科) ,  寒川雅之 (大阪大 大学院基礎工学研究科) ,  神田浩文 (大阪大 大学院基礎工学研究科) ,  金島岳 (大阪大 大学院基礎工学研究科) ,  奥山雅則 (大阪大 大学院基礎工学研究科)
資料名： 電気学会電子材料研究会資料  (電気学会研究会資料)
巻： EFM-01  号： 6-13  ページ： 43-47  発行年： 2001年09月21日 
JST資料番号： Z0970A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 次世代ULSIの高誘電率ゲート絶縁膜用の均質なPrO<sub...

シソーラス用語： *酸化プラセオジム ,...

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分類 (2件)： 固体デバイス材料  (NC03020K) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

引用文献 (12件)：

• IWAI, H. 応用物理. 2000, 69, 4
• WU, Y. H. IEEE Electron Device Lett. 2000, 21, 341
• KINGON, A. Proc. MRS Workshop on High-k Gate Dielectrics, 2000. 2000, 31
• QI, W. Tech. Dig. IEDM'99, Washington DC. 1999, 145
• WILK, G. D. Appl. Phys. Lett. 1999, 74, 2854

タイトルに関連する用語 (5件)： 高誘電率 ,  ゲート絶縁膜 ,  PLD ,  作製 ,  評価