特許

J-GLOBAL ID：200903002875517307

半導体光素子の製造方法

発明者： シャンムカム サラバナン ,  原山 卓久
出願人/特許権者： 株式会社国際電気通信基礎技術研究所
代理人 (1件)： 松山 隆夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-320621
公開番号（公開出願番号）：特開2009-146978
出願日： 2007年12月12日
公開日（公表日）： 2009年07月02日
要約：

【課題】均一なサイズを有する量子ドットを含む半導体光素子の製造方法を提供する。【解決手段】バッファ層、クラッド層、バリア層、活性層、バリア層、クラッド層およびコンタクト層を基板上に順次積層したサンプルの温度を1分で室温から熱処理温度(=700〜950°C)まで昇温し、サンプルを熱処理温度(=700〜950°C)で1分間、熱処理し、その後、サンプルを室温まで冷却する。【選択図】図9

請求項（抜粋）：

基板上に第1の温度で量子ドットを含む活性層を形成する第1のステップと、 前記活性層の温度を前記量子ドットの存在を確保可能である基準昇温レート以上の昇温レートで前記第1の温度よりも高い第2の温度へ昇温する第2のステップと、 前記量子ドットおよび前記キャップ層を前記第2の温度で熱処理する第3のステップとを備える半導体光素子の製造方法。

IPC (1件)：

H01S 5/343

FI (1件)：

H01S5/343

Fターム (8件)：

5F173AF08 ,  5F173AG12 ,  5F173AH03 ,  5F173AP10 ,  5F173AP62 ,  5F173AQ12 ,  5F173AQ14 ,  5F173AR92