特許
J-GLOBAL ID：200903032066784198
不揮発性半導体記憶装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-299940
公開番号（公開出願番号）：特開平9-147583
出願日： 1995年11月17日
公開日（公表日）： 1997年06月06日
要約：
【要約】【課題】 しきい値電圧マージンを小さくすることができ、低電圧駆動や多値メモリの実現に寄与する。【解決手段】 データの記憶状態によりしきい値電圧が異なるメモリセルに対し、読み出し電圧の印加によりメモリセルに記憶されたデータを読み出す不揮発性半導体記憶装置において、読み出し電圧の温度依存性をメモリセルのしきい値電圧のそれと合わせるために、しきい値電圧がVtで、ゲートとドレインが出力端3に共通接続されると共に負荷抵抗Rを介して電源端1に接続され、ソース入力端2に温度依存性のない一定電圧Vbgr が印加されるnMOSトランジスタMCを用い、このトランジスタMCがオン状態の時に出力端3に現れる電圧(Vbgr+Vt)を読み出し電圧として利用する。
請求項（抜粋）：
データの記憶状態によりしきい値電圧が異なるメモリセルに対し、読み出し電圧の印加により記憶されたデータを読み出す不揮発性半導体記憶装置において、前記読み出し電圧を発生するために、温度依存性のない一定電圧Vbgr と温度依存性を有するメモリセルのしきい値電圧Vtとを加算する手段を設けたことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
IPC (4件)：
G11C 16/06
, H01L 21/8247
, H01L 29/788
, H01L 29/792
G11C 17/00 520 A
, G11C 17/00 510 A
, H01L 29/78 371
