不揮発性半導体記憶装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-125828
公開番号（公開出願番号）：特開平10-320983
出願日： 1997年05月15日
公開日（公表日）： 1998年12月04日
要約：

【要約】【課題】しきい値電圧マージンを小さくすることができ、低電圧駆動や多値メモリの実現に寄与する。【解決手段】データの記憶状態によりしきい値電圧が異なるメモリセルに対し、読み出し電圧の印加によりメモリセルに記憶されたデータを読み出すEEPROMにおいて、読み出し電圧の温度依存性をメモリセルのしきい値電圧のそれと合わせるために、メモリセルを成す2層ゲート構造のMOSトランジスタとしきい値電圧の温度依存性が近く、しきい値電圧がVt′で、ゲートとドレインが出力端3に共通接続されると共に負荷抵抗Rを介して電源端1に接続され、ソース入力端2に実質的に温度依存性のない一定電圧Vbgr が印加される単層ゲート構造のnMOSトランジスタQを用い、このトランジスタQがオン状態の時に出力端3に現れる電圧(Vbgr +Vt′)を読み出し電圧として利用する。

請求項（抜粋）：

データの記憶状態によりしきい値電圧が異なるメモリセルに対し、読み出し電圧の印加により記憶されたデータを読み出す不揮発性半導体記憶装置において、前記読み出し電圧を発生するために、前記メモリセルを成すMOSトランジスタとは異なる構造で、温度によるしきい値電圧の変化の割合が前記メモリセルを成すMOSトランジスタのそれの50〜150%にある電圧発生用のMOSトランジスタを用い、該電圧発生用MOSトランジスタのしきい値電圧と温度による変化の割合が前記メモリセルを成すMOSトランジスタのそれの-20%〜20%にある電圧とを加算する手段を設けたことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。

FI (2件)：

G11C 17/00 641 , G11C 17/00 613

引用特許：

審査官引用 (7件)

不揮発性半導体記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-299940 出願人：株式会社東芝
電圧設定回路
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-171038 出願人：松下電器産業株式会社
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-196392 出願人：日本電気株式会社

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