高光閉じ込め導波路インターサブバンド全光スイッチ

発明者： , , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：福田賢三 , 福田伸一 , 福田武通
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-049717
公開番号（公開出願番号）：特開2008-216314
出願日： 2007年02月28日
公開日（公表日）： 2008年09月18日
要約：

【課題】低強度の制御光で超高速のスイッチッチングができる高光閉じ込め導波路インターサブバンド全光スイッチを実現する。【解決手段】半導体量子井戸構造を持ちサブバンド間遷移を起こすIII-V族化合物半導体層を該III-V族化合物半導体層よりも低屈折率をもつ材料上にウェハボンディングで構成し、該III-V族化合物半導体層から光導波路を形成し、該光導波路の周りに上記III-V族化合物半導体層よりも低屈折率をもつ膜をつけることで形成した光導波路と、光信号と制御信号とを入力する個別あるいは共通の入力端と、光信号を出力する出力端と、を備える。また、光信号と制御光信号とを入力し、制御光信号で上記のサブバンド間遷移を飽和させて上記の光信号の透過率を制御することで、制御光信号を照射するときに光信号を出力するものである。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

半導体量子井戸構造を持ちサブバンド間遷移を起こすIII-V族化合物半導体層を該III-V族化合物半導体層よりも低屈折率をもつ材料上に構成し、該III-V族化合物半導体層から光導波路を形成し、該光導波路の周りに上記III-V族化合物半導体層よりも低屈折率をもつ膜をつけることで形成した光導波路と、光信号と制御信号とを入力する個別あるいは共通の入力端と、光信号を出力する出力端と、を備え、光信号と制御光信号とを入力し、制御光信号で上記のサブバンド間遷移を飽和させて上記の光信号の透過率を制御することで、制御光信号を照射するときに光信号を出力することを特徴とする高光閉じ込め導波路インターサブバンド全光スイッチ。

IPC (1件)：

G02F 1/01

FI (1件)：

G02F1/01 C

Fターム (8件)：

2H079AA08 , 2H079AA13 , 2H079CA05 , 2H079DA16 , 2H079EA03 , 2H079HA15 , 2H079JA07 , 2H079KA14

引用特許：

出願人引用 (6件)

化合物半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-234545 出願人：株式会社日立製作所
InSb系結晶膜の形成方法、およびInSb系半導体素子およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-004454 出願人：日立電線株式会社
光半導体装置の製造方法及び光半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-379707 出願人：株式会社東芝

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審査官引用 (2件)

光制御素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-359964 出願人：株式会社日立製作所, 株式会社東芝, 技術研究組合フェムト秒テクノロジー研究機構
半導体導波型光制御素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-022830 出願人：株式会社東芝

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