特許
J-GLOBAL ID：200903024484040917
半導体導波型光制御素子
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (6件)：
鈴江 武彦
, 河野 哲
, 中村 誠
, 蔵田 昌俊
, 村松 貞男
, 橋本 良郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-022830
公開番号（公開出願番号）：特開2005-215395
出願日： 2004年01月30日
公開日（公表日）： 2005年08月11日
要約：
【課題】 超高速でかつスイッチング・エネルギーが低く、製造も容易な、窒化物半導体中のサブバンド間遷移を利用した導波型光制御素子を実現する。【解決手段】 基板上に、サブバンド間遷移を生じる窒化物半導体多重量子井戸層、GaNコア層、AlNクラッド層からなる多層構造が形成され、非線形光学応答を生じる光制御導波路部5の入力側に、テーパ導波路部4を介して入力導波路部3が設けられた半導体導波型光制御素子において、光制御導波路部5は多層構造をメサ状に加工した単一モード光導波路からなり、入力導波路部3及びテーパ導波路部4は多層構造の上にAlN膜16を堆積したリッジ型光導波路からなり、テーパ導波路部4は、入力導波路部3から光制御導波路部5に向けて多層構造のメサの幅とAlN膜16の厚さが減少し、導波路部4の両側面に延伸するスラブ部の厚さが、AlN膜16の厚さの変化に対応して減少している。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
窒化物半導体多重量子井戸中のサブバンド間遷移により非線形光学応答を生じる光制御導波路部の入力側か出力側の少なくとも一方に、テーパ導波路部を介して前記光制御導波路部よりもモード断面積の大きな入出力導波路部が設けられた半導体導波型光制御素子であって、
基板上に、サブバンド間遷移を生じる窒化物半導体多重量子井戸層と、この多重量子井戸層を上下から挟むGaNコア層と、このGaNコア層の下部に設けられた平均屈折率がGaNコア層より低い窒化物半導体下部クラッド層と、前記GaNコア層の上部に設けられた平均屈折率がGaNコア層より低い窒化物半導体上部クラッド層と、を有してなる多層構造が形成され、
前記光制御導波路部は、前記多層構造のうちの少なくとも前記上部クラッド層,前記GaNコア層,及び前記多重量子井戸層をメサ外部で除去してなるメサ状の単一モード光導波路からなり、
前記入出力導波路部及びテーパ導波路部は、前記多層構造の上に前記基板よりも屈折率の高い装荷層が形成されたリッジ型光導波路からなり、
前記テーパ導波路部は、前記入出力導波路部から前記光制御導波路部に向けて前記多層構造のメサの幅と前記装荷層の厚さが連続的又は断続的に減少しており、
且つ前記入出力導波路部に接する部分から前記光制御導波路部に向けて前記テーパ導波路部の両側面に延伸するスラブ部の厚さが、前記テーパ導波路部における装荷層の厚さの変化に対応して減少していることを特徴とする半導体導波型光制御素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
G02F1/017 503
, G02F1/365
2H079AA08
, 2H079AA13
, 2H079BA01
, 2H079CA05
, 2H079DA16
, 2H079EA03
, 2H079EA07
, 2H079HA15
, 2H079HA16
, 2K002AA02
, 2K002AB11
, 2K002BA01
, 2K002CA13
, 2K002DA06
, 2K002DA12
, 2K002EA05
, 2K002HA13
出願人引用 (2件)
-
光半導体装置
公報種別：公開公報
出願番号：特願平6-323250
出願人：株式会社東芝
-
コネクタ
公報種別：公開公報
出願番号：特願平11-103859
出願人：東成エレクトロビーム株式会社
審査官引用 (7件)
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