特許
J-GLOBAL ID：200903000814886110

光半導体装置の製造方法及び光半導体装置

発明者：
藤原 章裕

藤原 章裕 について

, 
近藤 且章

近藤 且章 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (1件)： 大胡 典夫 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-379707
公開番号（公開出願番号）：特開2003-179253
出願日： 2001年12月13日
公開日（公表日）： 2003年06月27日
要約：
【要約】【課題】 InGaAlP系又はAlGaAs系の化合物半導体からなる発光層とGaP基板を、接着界面抵抗を精度良く制御して貼り合せることが可能な光半導体装置の製造方法及び光半導体装置を提供すること。【解決手段】 第1導電型の半導体基板9上に、InGaAlP系又はAlGaAs系の化合物半導体からなる第1導電型のクラッド層5と、直接或いはノンドープの同系化合物半導体からなる活性層4を介して、同系化合物半導体からなる第2導電型のクラッド層3を順次エピタキシャル成長させ発光層6を形成する工程と、第2導電型のGaP基板1表面に、反応ガス、キャリアガスとともに第2導電型のドーパントガスを導入し、MOCVD法により第2導電型のGaPバッファ層2をエピタキシャル成長させる工程と、発光層6表面と、GaPバッファ層表面2を接着する工程と、半導体基板9を除去する工程と、発光層6表面及びGaP基板1裏面に夫々電極を形成する工程とを具備する。
請求項（抜粋）：
第1導電型の半導体基板上に、InGaAlP系又はAlGaAs系の化合物半導体からなる第1導電型のクラッド層と、直接、或いはInGaAlP系又はAlGaAs系の化合物半導体からなるノンドープの活性層を介して、InGaAlP系又はAlGaAs系の化合物半導体からなる第2導電型のクラッド層を順次エピタキシャル成長させ発光層を形成する工程と、第2導電型のGaP基板表面に、反応ガス、キャリアガスとともに第2導電型のドーパントガスを導入し、MOCVD法により第2導電型のGaPバッファ層をエピタキシャル成長させる工程と、前記発光層表面と、前記GaPバッファ層表面を接着する工程と、前記半導体基板を除去する工程と、前記発光層表面及び前記GaP基板裏面に夫々電極を形成する工程とを具備することを特徴とする光半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 33/00 ,  H01L 21/205
FI (2件)：
H01L 33/00 A ,  H01L 21/205
Fターム (28件)：
5F041AA03 ,  5F041AA21 ,  5F041CA04 ,  5F041CA12 ,  5F041CA34 ,  5F041CA36 ,  5F041CA53 ,  5F041CA57 ,  5F041CA65 ,  5F041CA74 ,  5F041CA77 ,  5F041DB01 ,  5F041FF01 ,  5F045AA04 ,  5F045AB11 ,  5F045AC01 ,  5F045AC08 ,  5F045AC19 ,  5F045AD09 ,  5F045AD10 ,  5F045AD11 ,  5F045AD12 ,  5F045AE23 ,  5F045AF04 ,  5F045BB04 ,  5F045CA10 ,  5F045CB02 ,  5F045DA59
引用特許：
審査官引用 (5件)
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