特許
J-GLOBAL ID：200903017203355160
発光素子の製造方法、複合透光性基板及び発光素子
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
菅原 正倫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-086035
公開番号（公開出願番号）：特開2004-296707
出願日： 2003年03月26日
公開日（公表日）： 2004年10月21日
要約：
【課題】透光性導電半導体基板を有しつつも、該基板を発光層部に貼り合せる工程が不要であり、ひいては発光層部に損傷等が発生しにくい発光素子の製造方法を提供する。【解決手段】第一の化合物半導体よりなる発光層部24が、該発光層部24からの発光光束に対して透光性を有する第二の化合物半導体からなる透光性導電半導体基板70上に形成された構造を有する発光素子を製造するために、まず、第一の化合物半導体との格子定数差が第二の化合物半導体との格子定数差よりも小さい化合物半導体よりなる発光層成長準備層8の第一主表面MP1側に、貼り合せ又はエピタキシャル法による厚膜成長により、透光性導電半導体基板70を形成して複合透光性基板50を作製する。次に、該複合透光性基板50の発光層成長準備層8の第二主表面MP2に発光層部24をエピタキシャル成長する。透光性導電半導体基板70には、発光層成長準備層8を格子緩和させるための該発光層成長準備層8よりも高密度に転位を含む高転位密度層70aが形成されている。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
第一の化合物半導体よりなる発光層部が、該発光層部からの発光光束に対して透光性を有する第二の化合物半導体からなる透光性導電半導体基板上に形成された構造を有する発光素子の製造方法であって、
前記第一の化合物半導体との格子定数差が前記第二の化合物半導体との格子定数差よりも小さい化合物半導体よりなる発光層成長準備層を用意し、該発光層成長準備層の第一主表面側に直接又は中間化合物半導体層を介して前記透光性導電半導体基板を形成することにより複合透光性基板を作製する複合透光性基板製造工程と、
前記複合透光性基板の前記発光層成長準備層の第二主表面側に前記発光層部をエピタキシャル成長する発光層部成長工程とを含み、
前記複合透光性基板製造工程及び前記発光層部成長工程の少なくともいずれかにおいて、前記透光性導電半導体基板又は前記中間化合物半導体層に、前記発光層成長準備層よりも高密度に転位を含む高転位密度領域を形成することを特徴とする発光素子の製造方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (15件)：
5F041AA40
, 5F041AA42
, 5F041CA04
, 5F041CA12
, 5F041CA34
, 5F041CA35
, 5F041CA37
, 5F041CA64
, 5F041CA65
, 5F041CA73
, 5F041CA74
, 5F041CA77
, 5F041CB01
, 5F041CB15
, 5F041CB36
