特許
J-GLOBAL ID：200903089129082999

不揮発性半導体メモリ装置

発明者：
高野 芳徳

高野 芳徳 について

, 
本多 泰彦

本多 泰彦 について

, 
丹沢 徹

丹沢 徹 について

, 
栗山 正男

栗山 正男 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (1件)： 伊丹 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-111117
公開番号（公開出願番号）：特開2003-308698
出願日： 2002年04月12日
公開日（公表日）： 2003年10月31日
要約：
【要約】【課題】 複数の読み出しモードを切り換え可能に搭載した不揮発性半導体メモリ装置を提供する。【解決手段】 電気的書き換え可能な不揮発性メモリセルが配列されたメモリセルアレイと、メモリセルアレイのデータ読み出しを行う読み出し回路とを備えた不揮発性半導体メモリ装置であって、メモリセルアレイから読み出し回路を介して外部端子までを同じビット数の並列データ転送により読み出す第1の読み出しモードと、メモリセルアレイから読み出し回路までを第1の読み出しモードより大きいビット数の並列データの転送とし、読み出し回路から外部端子までをそれより小さいビット数のデータ転送とする第2の読み出しモードとを有する。
請求項（抜粋）：
電気的書き換え可能な不揮発性メモリセルが配列されたメモリセルアレイと、前記メモリセルアレイのデータ読み出しを行う読み出し回路とを備え、前記メモリセルアレイから前記読み出し回路を介して外部端子までを同じビット数の並列データ転送により読み出す第1の読み出しモードと、前記メモリセルアレイから前記読み出し回路までを前記第1の読み出しモードより大きいビット数の並列データの転送とし、前記読み出し回路から外部端子までをそれより小さいビット数のデータ転送とする第2の読み出しモードとを有することを特徴とする不揮発性半導体メモリ装置。
IPC (2件)：
G11C 16/02 ,  G11C 16/06
FI (4件)：
G11C 17/00 613 ,  G11C 17/00 634 G ,  G11C 17/00 634 A ,  G11C 17/00 636 B
Fターム (4件)：
5B025AA01 ,  5B025AD01 ,  5B025AD05 ,  5B025AE06
引用特許：
審査官引用 (4件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM