特許
J-GLOBAL ID：200903000244541513
半導体記憶装置
出願人/特許権者：
日本電気アイシーマイコンシステム株式会社
日本電気アイシーマイコンシステム株式会社 について
代理人 (1件)： 志賀 正武
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-204907
公開番号（公開出願番号）：特開平11-045594
出願日： 1997年07月30日
公開日（公表日）： 1999年02月16日
要約：
【要約】【課題】 ノーマルアクセスモードにおいてセンスアンプが動作するときのピーク電流を抑制し高速アクセスができる半導体記憶装置を実現する。【解決手段】 電流能力の異なる2種類のセンスアンプ200、201に対し、ATD回路105より発生したワンショットパルス信号を任意のパルス幅に整形するセンスアンプ制御回路145により活性化動作タイミングの差を設け、ページデコーダ回路102とセンスアンプセレクタ150及びびラッチセレクタ152により、ノーマルアクセスモード時とページアクセスモード時にメモリセルマトリクスより読み出されるデータの経路を変更することと、センスアンプをタイミング制御するセンスアンプ制御回路145とを具備する。
請求項（抜粋）：
複数のメモリセルと、該複数のメモリセルに接続されるデジット線群と、該複数のデジット線群のうちの1本あるいは複数のデジット線を選択するYセレクタと、該Yセレクタを経由して読み出されたデータを増幅する複数のセンスアンプと、該複数のセンスアンプのうちの一つのセンスアンプから出力バッフアにデータを選択し伝達するセレクタと、前記複数のセンスアンプ及びセレクタを制御する制御回路とを備え、ページアクセスモード機能を有する半導体記憶装置において、前記複数のセンスアンプに対し異なるディメンジョンのノーマルアクセスモード動作時に読み出されるデータをセンスするノーマルアクセス用センスアンプと、ページアクセスモード動作時に読み出されるデータをセンスするページアクセス用センスアンプとを備え、前記制御回路は、ノーマルアクセスモード動作時に活性化するセンスアンプの選択切り換えを行うことを特徴とする半導体記憶装置。
IPC (3件)：
FI (3件)：
引用特許：
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