不揮発性半導体記憶装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-111499
公開番号（公開出願番号）：特開平9-297997
出願日： 1996年05月02日
公開日（公表日）： 1997年11月18日
要約：

【要約】【課題】昇圧回路と高電圧スイッチを備えたEEPROMにおいて、高電圧スイッチの転送効率を最大にでき、昇圧すべきノードを確実に上げる。【解決手段】複数段のインバータを閉ループ接続し、各々のインバータの出力から第1〜第4の信号を作るオシレータ回路9、第1〜第4の信号で駆動される昇圧回路8、昇圧回路8の出力をメモリセルアレイに選択的に印加する高電圧スイッチ10を備えたEEPROMであり、スイッチ10は、ドレインが回路8の出力端子に接続された第1のnMOSと、ドレインとゲートが第1のnMOSのソースに接続され、ソースが第1のnMOSのゲートに接続された第2のnMOSと、一端が第1のnMOSのソースに接続され他端にパルス信号が入力されるキャパシタと、ドレインが回路8の出力端子に接続され、ゲートが第1のnMOSのゲートに接続された第3のnMOSからなり、キャパシタを第4の信号で駆動する。

請求項（抜粋）：

複数段のインバータを閉ループ接続し、2段目のインバータの出力CLK2と4段目のインバータの出力CLK4からこれらの論理積である第1の信号と論理和である第2の信号を作り、かつ1段目のインバータの出力CLK1と5段目のインバータの出力CLK5からこれらの論理積である第3の信号と論理和である第4の信号を作るオシレータ回路と、このオシレータ回路で作られた第1〜第4の信号で駆動される昇圧回路と、この昇圧回路の出力を所定の回路に選択的に印加する高電圧スイッチとを備えた不揮発性半導体記憶装置であって、前記高電圧スイッチは、ドレインが前記昇圧回路の出力端子に接続された第1のnMOSトランジスタと、ドレインとゲートが第1のnMOSトランジスタのソースに接続され、ソースが第1のnMOSトランジスタのゲートに接続された第2のnMOSトランジスタと、一端が第1のnMOSトランジスタのソースに接続され他端にパルス信号が入力されるキャパシタと、ドレインが前記昇圧回路の出力端子に接続され、ゲートが第1のnMOSトランジスタのゲートに接続された第3のnMOSトランジスタとからなり、前記キャパシタは、第4の信号又はCLK2又はCLK3で駆動されることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。

IPC (2件)：

G11C 16/06 , H02M 3/07

FI (2件)：

G11C 17/00 309 D , H02M 3/07

引用特許：

審査官引用 (7件)

不揮発性半導体記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-126002 出願人：株式会社東芝
昇圧電源回路および昇圧回路
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-225382 出願人：ソニー株式会社
高電圧電荷ポンプ
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-081183 出願人：ナシヨナルセミコンダクタコーポレイシヨン

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