特許
J-GLOBAL ID：200903096373084606

超高消光比変調方法

発明者：
川西 哲也

川西 哲也 について

, 
土屋 昌弘

土屋 昌弘 について

, 
井筒 雅之

井筒 雅之 について


出願人/特許権者：
独立行政法人情報通信研究機構

独立行政法人情報通信研究機構 について


代理人 (4件)： 小林 浩 ,  片山 英二 ,  小林 純子 ,  廣瀬 隆行
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-054209
公開番号（公開出願番号）：特開2006-242975
出願日： 2005年02月28日
公開日（公表日）： 2006年09月14日
要約：
【課題】高い消光比をもたらす光変調器の変調方法や,光搬送波抑圧両側波帯(DSB-SC)変調方法を提供する。【解決手段】マッハツェンダー導波路と前記マッハツェンダー導波路の各アーム設けられた光強度補正機構を有する光変調器の電極に印加するバイアス電圧を調整することにより,消光比を向上させるための変調方法である。特に,本発明では,サブマッハツェンダー導波路を利用してメインマッハツェンダー導波路のアーム間のアンバランスを補正することにより,最適なバイアス電圧を得ることができるというものである。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
マッハツェンダー導波路と前記マッハツェンダー導波路の各アーム設けられた光強度補正機構を有する光変調器の電極に印加するバイアス電圧を調整することにより,消光比を向上させる,変調方法。
IPC (1件)：
G02F 1/03
FI (1件)：
G02F1/03 502
Fターム (9件)：
2H079AA02 ,  2H079AA12 ,  2H079BA01 ,  2H079BA03 ,  2H079CA04 ,  2H079DA03 ,  2H079DA22 ,  2H079EA04 ,  2H079GA03
引用特許：
審査官引用 (5件)
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