特許
J-GLOBAL ID：201003050776492993
マイクロチップを用いたフッ素F-18標識化合物の製造方法及び装置
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
塩島 利之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-082717
公開番号（公開出願番号）：特開2010-235462
出願日： 2009年03月30日
公開日（公表日）： 2010年10月21日
要約：
【課題】蒸発操作を含む多段階合成プロセスであるフッ素F-18標識化合物の合成を、効率的なマイクロチップ上の操作として集積化することができるフッ素F-18標識化合物の製造方法を提供する。【解決手段】内部に気相の流路14を有すると共に、気相の流路14の底部に液相を溜めるプール部16を有するマイクロチップ1を用い、マイクロチップ1に液相としてフッ素F-18イオンを含んだ溶液を導入する。マイクロチップ1のプール部16に毛管力を利用してフッ素F-18イオンを含んだ溶液を分散させる。気相の流路14に気相を流して、プール部16に溜められたフッ素F-18イオンを含んだ溶液を蒸発乾固させる。マイクロチップ1内での高効率での蒸発操作が実現できるので、蒸発乾固あるいは溶媒留去操作などの蒸発操作を含むフッ素F-18標識化合物の合成プロセスを高効率にマイクロチップ1上に集積化することが可能になる。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
マイクロチップを用いたフッ素F-18標識化合物の製造方法であって、
内部に気相の流路を有すると共に、前記気相の流路の底部に液相を溜めるプール部を有するマイクロチップに液相としてフッ素F-18イオンを含んだ溶液を導入し、前記マイクロチップの前記プール部に毛管力を利用して前記フッ素F-18イオンを含んだ溶液を分散させる工程と、
前記気相の流路に気相を流して、前記プール部に溜められた前記フッ素F-18イオンを含んだ溶液を蒸発乾固させる工程と、
を備えるマイクロチップを用いたフッ素F-18標識化合物の製造方法。
IPC (4件)：
C07H 5/02
, G01N 37/00
, A61K 51/00
, B01J 19/00
C07H5/02
, G01N37/00 101
, A61K49/02 C
, B01J19/00 321
4C057AA03
, 4C057BB02
, 4C057CC02
, 4C085HH03
, 4C085JJ02
, 4C085KA29
, 4C085KB39
, 4C085LL13
, 4C085LL18
, 4G075AA14
, 4G075AA39
, 4G075BA10
, 4G075BB02
, 4G075BB03
, 4G075BB07
, 4G075BB08
, 4G075CA51
, 4G075CA54
, 4G075CA55
, 4G075DA02
, 4G075EE05
, 4G075FA01
, 4G075FA12
, 4H006AA02
, 4H006AC84
, 4H006BD80
, 4H006CN40
