特許
J-GLOBAL ID：201103032906907790
炭素ドープ酸化チタン層を有する基体の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
栗原 浩之
, 村中 克年
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-516148
特許番号：特許第3948738号
出願日： 2004年12月08日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 少なくとも表面層がチタン、チタン合金、チタン合金酸化物又は酸化チタンからなる基体の表面に炭化水素を50容量%以上含有する燃料ガスを燃焼させた燃焼炎を直接当てて該基体の表面温度が900〜1500°Cとなるように加熱処理するか、又は該基体の表面をその表面温度が900〜1500°Cとなるように炭化水素を50容量%以上含有する燃料ガスを燃焼させて得た燃焼ガス雰囲気中で加熱処理して炭素ドープ酸化チタン層を形成することを特徴とする炭素ドープ酸化チタン層を有する基体の製造方法。
IPC (5件)：
C23C 8/28 ( 200 6.01)
, B01D 53/86 ( 200 6.01)
, B01J 35/02 ( 200 6.01)
, B01J 37/08 ( 200 6.01)
, B01J 37/12 ( 200 6.01)
C23C 8/28
, B01D 53/36 ZAB J
, B01D 53/36 H
, B01J 35/02 J
, B01J 37/08
, B01J 37/12
