特許
J-GLOBAL ID：201103071878339817

シリコン膜およびリチウム二次電池

発明者：
野田 優

野田 優 について

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諸隈 慎吾

諸隈 慎吾 について

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山本 武継

山本 武継 について


出願人/特許権者：
住友化学株式会社

住友化学株式会社 について

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国立大学法人 東京大学

国立大学法人 東京大学 について


代理人 (2件)： 中山 亨 ,  坂元 徹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-280187
公開番号（公開出願番号）：特開2011-122200
出願日： 2009年12月10日
公開日（公表日）： 2011年06月23日
要約：
【課題】大容量のリチウム二次電池に好適な電極を与えることのできるシリコン膜と、その簡便な製造方法を提供する。【解決手段】SiまたはSi化合物からなるアスペクト比20以上の柱状構造の集合体である柱状集合体を複数有することを特徴とするシリコン膜。柱状構造の直径が10〜100nmであって、膜厚が0.2〜100μmである前記シリコン膜。SiまたはSi化合物からなる蒸着源を用いてシリコン膜を基板に蒸着するシリコン膜の製造方法であって、蒸着源の温度を1700K以上とし、基板温度を蒸着源の温度より700K以上低くすることを特徴とするシリコン膜の製造方法。蒸着源-基板間距離(D)が、基板の垂直方向からみた基板の最小径(P)よりも小さい前記のシリコン膜の製造方法。前記シリコン膜を有する電極。前記電極を、負極として有するリチウム二次電池。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
SiまたはSi化合物からなるアスペクト比20以上の柱状構造の集合体である柱状集合体を複数有することを特徴とするシリコン膜。
IPC (5件)：
C23C 14/14 ,  H01M 4/38 ,  H01M 4/134 ,  H01M 4/139 ,  H01M 4/66
FI (5件)：
C23C14/14 A ,  H01M4/38 Z ,  H01M4/02 105 ,  H01M4/02 112 ,  H01M4/66 A
Fターム (49件)：
4K029AA02 ,  4K029AA24 ,  4K029BA35 ,  4K029BB08 ,  4K029BB10 ,  4K029CA01 ,  4K029DB03 ,  4K029DB08 ,  4K029DB18 ,  4K029EA01 ,  4K029EA02 ,  4K029EA03 ,  4K029EA08 ,  5E078AA01 ,  5E078AB06 ,  5E078BA26 ,  5E078BA62 ,  5E078BA63 ,  5E078BA73 ,  5E078BB36 ,  5E078FA12 ,  5H017AA03 ,  5H017BB16 ,  5H017CC01 ,  5H017DD01 ,  5H017DD05 ,  5H017EE01 ,  5H050AA07 ,  5H050AA08 ,  5H050AA17 ,  5H050AA19 ,  5H050BA16 ,  5H050CB11 ,  5H050DA04 ,  5H050DA06 ,  5H050DA07 ,  5H050FA02 ,  5H050FA05 ,  5H050FA11 ,  5H050FA15 ,  5H050FA17 ,  5H050FA19 ,  5H050FA20 ,  5H050GA24 ,  5H050GA29 ,  5H050HA04 ,  5H050HA05 ,  5H050HA12 ,  5H050HA14
引用特許：
審査官引用 (4件)
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