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J-GLOBAL ID：201202248338019334   整理番号：12A1211086

AlInN/GaN系ヘテロ構造の表面・界面評価

Interface characterization of AlInN/GaN heterostructures

著者 (3件)： 橋詰保 (JST-CREST) ,  堀祐臣 (北大 情報科学研究科 量子集積エレクトロニクス研究セ) ,  赤澤正道 (北大 情報科学研究科 量子集積エレクトロニクス研究セ)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 112  号： 154(ED2012 41-53)  ページ： 17-20  発行年： 2012年07月19日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： AlInN/GaN界面のバンドオフセットと,界面スペーサ層が電子密度分布に与える影響について評価した。角度分解XPS評価により,価電子帯のオフセットが約0.2eV,伝導帯オフセットが0.9eV程度であることが明らかになった。これらの値は,両性欠陥モデルに基づくフェルミ準位安定化エネルギーの計算から求めた値とよく一致した。表面モフォロジーの改善に効果のあるAl_0.38Ga_0.62Nスペーサ層は,Al_0.82In_0.18N/Al_0.38Ga_0.62N界面のポテンシャル井戸と分極による界面電荷により電子蓄積が生じることを明らかにした。これを抑制するためAl_0.45Ga_0.55Nスペーサ層を提案し,MOS構造のC-V評価により,AlInN/Al_0.45Ga_0.55N界面に電子蓄積が生じにくいことを示した。(著者抄録)

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,  *化合物半導体 ,  素子構造 ,  密度分布 ,  バンドオフセット ,  *X線光電子分光法
準シソーラス用語： GaN ,  *ヘテロ構造

分類 (2件)： 13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y) ,  金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X)

引用文献 (5件)：

• Kuzmik, J. IEEE Electron Device Lett. 2001, 22, 510
• Akazawa, M. Appl. Phys. Lett. 2010, 96, 132104
• Jones, R.E. J. Appl. Phys. 2008, 104, 123501
• Walukiewicz, W. J. Cryst. Growth. 2004, 269, 119
• Hiroki, M. Appl. Phys. Express. 2008, 1, 111102

タイトルに関連する用語 (4件)： GaN ,  ヘテロ構造 ,  界面 ,  評価