特許
J-GLOBAL ID：201203072576898195
化学気相成長装置および化学気相成長方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
,
代理人 (2件)：
吉竹 英俊
, 有田 貴弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-184771
公開番号（公開出願番号）：特開2012-041607
出願日： 2010年08月20日
公開日（公表日）： 2012年03月01日
要約：
【課題】大面積の基板であっても短時間にカーボンナノチューブを形成することができる化学気相成長方法および化学気相成長装置を提供する。【解決手段】基板Wに対して比較的小さいヘッド30を所定の方向に所定の速度で相対的に移動させる。ヘッド30には、基板Wに還元ガスを供給する還元室40と炭素源ガスを供給する炭素源室50とを設けている。また、基板Wに対するヘッド30の相対移動方向に沿って還元室40を炭素源室50よりも前段側に設ける。基板Wの表面に配置された触媒が還元室40または炭素源室50に対向しているときには、その触媒を加熱することにより還元処理およびカーボンナノチューブの成膜処理を行う。大面積の基板Wであっても還元室40および炭素源室50の雰囲気置換に長時間を要することはなく、短時間にカーボンナノチューブを形成することができる。【選択図】図5
請求項（抜粋）：
表面に触媒を配置した基板の一部を覆うヘッドと、
前記ヘッドに炭素源ガスを供給する炭素源ノズルと、
前記ヘッドに還元ガスを供給する還元ノズルと、
前記基板に対して前記ヘッドを所定の方向に所定の速度で相対的に移動させる移動部と、
前記基板に対して前記ヘッドが相対的に移動される間、前記基板の表面のうち、前記ヘッドに対向し、かつ、前記触媒が配置された領域を加熱する加熱部と、
を備え、
前記ヘッドは、前記炭素源ノズルから供給された炭素源ガスを前記基板の対向する領域に供給する炭素源室、および、前記還元ノズルから供給された還元ガスを前記基板の対向する領域に供給する還元室、を備え、
前記還元室は、前記基板に対する前記ヘッドの相対移動方向に沿って前記炭素源室よりも前段側に設けられることを特徴とする化学気相成長装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
C23C16/44 B
, C01B31/02 101F
4G146AA11
, 4G146AB07
, 4G146BC01
, 4G146BC09
, 4G146BC25
, 4G146BC38A
, 4G146BC44
, 4G146DA03
, 4G146DA23
, 4G146DA32
, 4K030AA09
, 4K030AA16
, 4K030AA17
, 4K030BA27
, 4K030CA02
, 4K030EA05
, 4K030EA06
, 4K030FA17
, 4K030GA12
, 4K030JA03
, 4K030JA09
, 4K030KA12
, 4K030KA23
, 4K030KA24
