特許

J-GLOBAL ID：201303010102800277

Siと金属Mとを含む膜の製造方法

発明者： 野田 優 ,  李 重昊 ,  山本 武継 ,  松本 慎吾
出願人/特許権者： 国立大学法人 東京大学 ,  住友化学株式会社
代理人 (2件)： 加藤 久 ,  久保山 隆
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-129998
公開番号（公開出願番号）：特開2013-014840
出願日： 2012年06月07日
公開日（公表日）： 2013年01月24日
要約：

【課題】より効率的な蒸着レートでのSiと金属Mとを含む膜の製造方法を提供する。【解決手段】Siと金属M(但し、金属MはSi以外の金属である。)とを蒸着源に用いて、柱状構造の集合体を有する膜を基板に蒸着により形成するSiと金属Mとを含む膜の製造方法であって、下記(1)および(2)の条件で蒸着するSiと金属Mとを含む膜の製造方法。 (1)蒸着時の蒸着源の温度が、蒸着源の融点よりも100K以上高い温度であること (2)蒸着時のSi原子の平均自由行程(λ)が蒸着源-基板間距離(D)よりも小さいこと【選択図】図1

請求項（抜粋）：

Siと金属M(但し、金属MはSi以外の金属である。)とを蒸着源に用いて、柱状構造の集合体を有する膜を基板に蒸着により形成するSiと金属Mとを含む膜の製造方法であって、下記(1)および(2)の条件で蒸着することを特徴とするSiと金属Mとを含む膜の製造方法。 (1)蒸着時の蒸着源の温度が、蒸着源の融点よりも100K以上高い温度であること (2)蒸着時のSi原子の平均自由行程(λ)が蒸着源-基板間距離(D)よりも小さいこと

IPC (5件)：

C23C 14/24 ,  H01M 4/139 ,  H01M 4/134 ,  H01M 10/052 ,  H01M 4/66

FI (5件)：

C23C14/24 N ,  H01M4/02 112 ,  H01M4/02 105 ,  H01M10/00 102 ,  H01M4/66 A

Fターム (31件)：

4K029AA02 ,  4K029AA25 ,  4K029BA08 ,  4K029BA35 ,  4K029CA01 ,  4K029DB02 ,  4K029DB03 ,  4K029DB10 ,  4K029DB11 ,  5H017AA03 ,  5H017EE01 ,  5H017EE04 ,  5H029AJ14 ,  5H029AL11 ,  5H029AM01 ,  5H029AM02 ,  5H029AM03 ,  5H029AM06 ,  5H029AM07 ,  5H029CJ24 ,  5H029DJ07 ,  5H029EJ01 ,  5H029HJ04 ,  5H029HJ14 ,  5H050AA19 ,  5H050BA16 ,  5H050CB11 ,  5H050DA04 ,  5H050GA24 ,  5H050HA04 ,  5H050HA14

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 防曇膜の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2008-071431   出願人：富士フイルム株式会社
• リチウム二次電池用負極およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-312760   出願人：松下電器産業株式会社
• 放射線像変換パネルの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-303467   出願人：富士写真フイルム株式会社
• 薄膜の製造方法、光学部品の製造方法および成膜装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-291057   出願人：セイコーエプソン株式会社