特許
J-GLOBAL ID：201503003378938859
化学気相成長装置および化学気相成長方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
,
代理人 (2件)：
吉竹 英俊
, 有田 貴弘
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-184771
公開番号（公開出願番号）：特開2012-041607
特許番号：特許第5754763号
出願日： 2010年08月20日
公開日（公表日）： 2012年03月01日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 表面に触媒を配置した基板の一部を覆うヘッドと、
前記ヘッドに炭素源ガスを供給する炭素源ノズルと、
前記ヘッドに還元ガスを供給する還元ノズルと、
前記基板に対して前記ヘッドを所定の方向に所定の速度で相対的に移動させる移動部と、
前記基板に対して前記ヘッドが相対的に移動される間、前記基板の表面のうち、前記ヘッドに対向し、かつ、前記触媒が配置された領域を加熱する加熱部と、
を備え、
前記ヘッドは、前記炭素源ノズルから供給された炭素源ガスを前記基板の対向する領域に供給する炭素源室、および、前記還元ノズルから供給された還元ガスを前記基板の対向する領域に供給する還元室、を備え、
前記炭素源室および前記還元室は、前記基板に近接するように前記ヘッドに設けられた仕切壁を挟み込んで設けられ、
前記炭素源室および前記還元室の前記仕切壁を除く周囲には、前記基板に近接するようにスカートが突出して形成され、
前記還元室は、前記基板に対する前記ヘッドの相対移動方向に沿って前記炭素源室よりも前段側に設けられ、
前記加熱部は、前記炭素源室または前記還元室の全部が前記基板と対向しているときに、前記触媒が配置された領域を加熱することを特徴とする化学気相成長装置。
IPC (2件)：
C23C 16/455 ( 200 6.01)
, C01B 31/02 ( 200 6.01)
C23C 16/455
, C01B 31/02 101 F
