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J-GLOBAL ID：201702285879554382   整理番号：17A0549268

ナノドット含有Si薄膜における構造と出力因子の関係

著者 (7件)： 坂根駿也 (大阪大 大学院) ,  渡辺健太郎 (大阪大 大学院) ,  渡辺健太郎 (JST-CREST) ,  藤田武志 (東北大) ,  澤野憲太郎 (東京都市大) ,  中村芳明 (大阪大 大学院) ,  中村芳明 (JST-CREST)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 64th  ページ： ROMBUNNO.15p-E206-8  発行年： 2017年03月01日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *ナノ構造 ,  *半導体薄膜 ,  *電気特性 ,  *MBE成長 ,  *輸送係数 ,  ナノドット ,  Seebeck係数 ,  シリコン薄膜
準シソーラス用語： Si薄膜 ,  熱電特性

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体と絶縁体の電気伝導一般  (BM03041P)

タイトルに関連する用語 (3件)： ナノドット ,  Si薄膜 ,  出力因子