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J-GLOBAL ID：201902214928023620   整理番号：19A1375262

イオン注入による単一不純物欠陥の規則的配列形成とその応用-ダイヤモンド中浅い単一NVセンターの配列形成-

著者 (13件)： 谷井孝至 (早稲田大 理工) ,  品田高宏 (東北大) ,  寺地徳之 (物質・材料研究機構) ,  小野田忍 (量研) ,  大島武 (量研) ,  MCGUINNESS Liam P. (ウルム大) ,  JELEZKO Fedor (ウルム大) ,  LIU Yan (華東師範大) ,  WU E (華東師範大) ,  加田渉 (群馬大) ,  花泉修 (群馬大) ,  川原田洋 (早稲田大 理工) ,  磯谷順一 (筑波大)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 66th  ページ： ROMBUNNO.10p-W922-8  発行年： 2019年02月25日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： Siウェハへのドーパント原子注入として発展したイオン注入法は,今日,ワイドバンドギャップ半導体などの母材の電気伝導特性制御に利用されるだけでなく,多種の不純物イオンを導入できる特長の下,例えばダイヤモンド中へのカラーセンター形成や酸化チタン...【本文一部表示】

シソーラス用語： *イオン注入 ,  *ダイヤモンド ,  欠陥 ,  色中心 ,  量子情報 ,  *空格子点 ,  窒素 ,  ケイ素 ,  *機能素子 ,  *配列 ,  *規則化 ,  半導体 ,  *量子コンピュータ ,  量子ビット ,  *鉱石 ,  *宝石
準シソーラス用語： シングルイオン注入 ,  窒素-原子空孔中心 ,  量子レジスタ ,  量子素子

分類 (2件)： 半導体の格子欠陥  (BK12040Q) ,  その他の固体デバイス  (NC03150A)

タイトルに関連する用語 (8件)： イオン注入 ,  不純物 ,  欠陥 ,  規則 ,  配列形成 ,  応用 ,  ダイヤモンド ,  NVセンター