特許

J-GLOBAL ID：201903006030852150

メモリセル内で負のボディ電位を確立することを含む装置および方法

発明者： 作井 康司 ,  ホーズ,マーク ,  丹沢 徹 ,  ビンフェット,ジェレミー
出願人/特許権者： マイクロン テクノロジー,インク.
代理人 (4件)： 大菅 義之 ,  野村 泰久 ,  青木 宏義 ,  天田 昌行
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2019-524201
公開番号（公開出願番号）：特表2019-536190
出願日： 2017年08月09日
公開日（公表日）： 2019年12月12日
要約：

装置およびこのような装置を動作させる方法は、メモリセルに対する検知動作を開始する前に、タイマーに応じて、または別のメモリセルのアクセス動作中に、メモリセルのボディに負の電位を確立することを含む。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

メモリセルのボディに負の電位を確立することと、 前記メモリセルに対する検知動作を開始することと、 を含む、メモリを動作させる方法。

IPC (6件)：

G11C 16/26 ,  G11C 16/04 ,  H01L 27/115 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (5件)：

G11C16/26 130 ,  G11C16/04 170 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/11582 ,  H01L29/78 371

Fターム (34件)：

5B225BA01 ,  5B225CA11 ,  5B225DA09 ,  5B225DE20 ,  5B225EA05 ,  5B225EB09 ,  5B225EC09 ,  5B225EG15 ,  5B225EH08 ,  5B225FA01 ,  5B225FA02 ,  5F083EP02 ,  5F083EP17 ,  5F083EP22 ,  5F083EP32 ,  5F083EP76 ,  5F083ER21 ,  5F083GA05 ,  5F083GA10 ,  5F083JA35 ,  5F083JA56 ,  5F083KA01 ,  5F083KA05 ,  5F083LA12 ,  5F083LA16 ,  5F083MA06 ,  5F083MA19 ,  5F083ZA13 ,  5F101BA02 ,  5F101BA41 ,  5F101BB02 ,  5F101BD22 ,  5F101BD30 ,  5F101BE07

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 不揮発性半導体記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-203249   出願人：株式会社ルネサステクノロジ
• NANDフラッシュメモリデバイスのプログラミング方法
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2010-515155   出願人：Powerchip株式会社, 力晶科技股ふん有限公司
• 作動温度範囲を拡張した不揮発性メモリ
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2011-542981   出願人：コンファロニエーリエマニュエル, ヴィメルカーティダニエル
• 不揮発性メモリのための温度警報および低レートリフレッシュ
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2011-544119   出願人：ヌモニクスベー.フェー.