作動温度範囲を拡張した不揮発性メモリ

発明者： ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (5件)：熊倉禎男 , 大塚文昭 , 西島孝喜 , 須田洋之 , 上杉浩
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-542981
公開番号（公開出願番号）：特表2012-514249
出願日： 2008年12月30日
公開日（公表日）： 2012年06月21日
要約：

コンピュータ及び遠隔通信機器のような特定用途向け電子デバイス、特に、不揮発性メモリの作動温度範囲を拡張するための製品、システム、及び方法を提供する。不揮発性メモリ内の温度を測定し、ある期間にわたってこの温度が閾値温度を超過した時に不揮発性メモリの少なくとも一部分をリフレッシュする方法及び装置を説明する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

メモリ内の温度を測定する温度センサを含む不揮発性メモリと、前記温度がある期間にわたって閾値温度を超過した時に前記不揮発性メモリの少なくとも一部分をリフレッシュするコントローラと、を含むことを特徴とする装置。

IPC (2件)：

G06F 12/16 , G11C 13/00

FI (3件)：

G06F12/16 310A , G11C13/00 180 , G11C13/00 110P

Fターム (3件)：

5B018GA04 , 5B018NA06 , 5B018QA20

引用特許：

審査官引用 (7件)

フラッシュメモリの安全な高温作動のための装置及び方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-248600 出願人：ティーアールダブリュー・オートモーティブ・エレクトロニクス・アンド・コンポーネンツ・ゲーエムベーハー・ウント・コンパニー・コマンディートゲゼルシャフト
半導体記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-173192 出願人：日産自動車株式会社
マルチビットメモリセルおよび温度バジェットセンサを備えた半導体デバイス
公報種別：公開公報出願番号：特願2007-257463 出願人：キモンダノースアメリカコーポレイション

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