特許
J-GLOBAL ID：200903089753833508
不揮発性半導体記憶装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (6件)：
深見 久郎
, 森田 俊雄
, 仲村 義平
, 堀井 豊
, 野田 久登
, 酒井 將行
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-203249
公開番号（公開出願番号）：特開2007-026485
出願日： 2005年07月12日
公開日（公表日）： 2007年02月01日
要約：
【課題】 データ保持特性の劣化を低減することができる不揮発性半導体記憶装置を提供する。【解決手段】 不揮発性半導体記憶装置は、閾値電圧の相違を利用してデータを記憶する複数個のメモリセルを有するメモリアレイ1と、メモリセルに供給する電圧を発生する電圧発生部50と、スタンバイ状態において、電圧発生部50を制御してメモリセルのコントロールゲートと、ウエル、ドレインおよびソースの少なくともいずれか一つとの間に所定の電位差を生じさせる論理部2とを備える。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
閾値電圧の相違を利用してデータを記憶する複数個のメモリセルと、
前記メモリセルに供給する電圧を発生する電圧発生部と、
スタンバイ状態において、前記電圧発生部を制御して前記メモリセルのコントロールゲートと、ウエル、ドレインおよびソースの少なくともいずれか一つとの間に所定の電位差を生じさせる論理部とを備える不揮発性半導体記憶装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
G11C17/00 601Q
, G11C17/00 632Z
5B125BA02
, 5B125BA19
, 5B125CA27
, 5B125CA28
, 5B125EA01
, 5B125EA03
, 5B125EA05
, 5B125EB01
, 5B125EB02
, 5B125EB04
, 5B125EB07
, 5B125EB09
, 5B125EG14
, 5B125EG18
, 5B125FA05
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (7件)
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