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J-GLOBAL ID：200902281779352766   整理番号：07A0724373

Ge基板上へのPr酸化膜の作製と評価

Growth and Characterization of Pr-Oxide-Based Dielectric Films on Ge Substrates

著者 (5件)： 坂下満男 (名古屋大 大学院工学研究科) ,  鬼頭伸幸 (名古屋大 大学院工学研究科) ,  酒井朗 (名古屋大 大学院工学研究科) ,  小川正毅 (名古屋大 エコトピア科研) ,  財満鎭明 (名古屋大 大学院工学研究科)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 107  号： 85(SDM2007 31-51)  ページ： 107-111  発行年： 2007年05月31日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： High-kゲート絶縁膜によるGeチャネルMOSFETは高機...

シソーラス用語： ゲルマニウム ,...

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分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X)

引用文献 (10件)：

• KITA, K. Appl. Phys. Lett. 2004, 85, 52
• VAN ELSHOCHT, S. Appl. Phys. Lett. 2004, 85, 3824
• KAMATA, Y. Jpn. J. Appl. Phys. 2005, 44, 2323
• KONDO, H. ECS 210th Meeting, Abst., 2006. 2006, 1429
• MAEDA, T. ECS 210th Meeting, Abst., 2006. 2006, 1459

タイトルに関連する用語 (5件)： Ge基板 ,  Pr ,  酸化膜 ,  作製 ,  評価