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J-GLOBAL ID：201002278028334215   整理番号：10A1127479

広範囲にわたってAl組成を変化させて有機金属気相エピタキシーで育成したAl_xGa_1-xNの深い電子準位

Deep Electronic Levels of Al_xGa_1-xN with a Wide Range of Al Composition Grown by Metal-Organic Vapor Phase Epitaxy

著者 (9件)： OOYAMA Kimihito (Hokkaido Univ., Sapporo, JPN) ,  OOYAMA Kimihito (Sumitomo Metal Mining, Tokyo, JPN) ,  SUGAWARA Katsuya (Hokkaido Univ., Sapporo, JPN) ,  OKUZAKI Shinya (Hokkaido Univ., Sapporo, JPN) ,  TAKETOMI Hiroyuki (Mie Univ., Tsu, JPN) ,  MIYAKE Hideto (Mie Univ., Tsu, JPN) ,  HIRAMATSU Kazumasa (Mie Univ., Tsu, JPN) ,  HASHIZUME Tamotsu (Hokkaido Univ., Sapporo, JPN) ,  HASHIZUME Tamotsu (JST-CREST, Tokyo, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 49  号： 10  ページ： 101001.1-101001.5  発行年： 2010年10月25日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Al_xGa_1-xN(0.25xGa_1-xNの1.0eVよりも高いことが明らかになった。それらの準位密度は,1×10¹⁶cm^-3よりも高かった。Al_0.60Ga_0.40N試料では,さらに高い準位(ΔE>1.5eV)を光容量測定によって検出した。主要な深い準位のエネルギー位置は,Walukiewiczらによって報告されたFermi準位安定化エネルギー[J.Cryst.Growth 269(2004)119]に密接に追随し,AlGaNの主要な深い準位の起源が,アンチサイト欠陥と複空孔を示す欠陥複合体に関連していることが明らかになった。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *MOCVD ,  化学組成 ,  *窒化物 ,  *ガリウム化合物 ,  *アルミニウム化合物 ,  化合物半導体 ,  *半導体薄膜 ,  鋳型効果 ,  サファイア ,  窒化アルミニウム ,  *深い準位 ,  *深準位過渡分光法 ,  活性化エネルギー ,  Fermi準位 ,  複合欠陥 ,  格子欠陥
準シソーラス用語： アンチサイト欠陥 ,  欠陥複合体

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  不純物・欠陥の電子構造  (BM02100I)

引用文献 (36件)：

• H. Hirayama: J. Appl. Phys.97(2005)091101.
• G. Megnehesso: IEEE Trans. Device Mater. Reliab.8(2008)332.
• J. Joh and J. A. del Alamo: IEEE Electron Device Lett.29(2008)287.
• W. Goetz, N. M. Johnson, M. D. Bremser, and R. F. Davis: Appl, Phys. Lett.69(1996)2379.
• M. J. Legodi, S. S. Hullavarad, S. A. Goodman, M. Hayes, and F. D. Auret: Physica B 308-310(2001)1189.

タイトルに関連する用語 (4件)： Al ,  組成 ,  有機金属気相エピタキシー ,  電子