特許
J-GLOBAL ID：201103025800310128
半導体装置及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
宮崎 昭夫
, 緒方 雅昭
, 石橋 政幸
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-355416
公開番号（公開出願番号）：特開2004-193146
特許番号：特許第4154578号
出願日： 2002年12月06日
公開日（公表日）： 2004年07月08日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 絶縁体上に設けられた半導体層を有する基板と、
前記半導体層と、前記半導体層の上に設けられたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上にパターニングされた導電性材料よりなるゲート電極と、前記ゲート電極の両側の前記半導体層に第1導電型不純物が高濃度に導入されたソース/ドレイン領域とからなる電界効果型トランジスタと、
前記半導体層に第2導電型不純物が高濃度に導入されたボディコンタクト領域と、
前記電界効果型トランジスタが設けられた素子領域と前記ボディコンタクト領域とを結ぶ経路における前記半導体層中に、前記ボディコンタクト領域よりも低い濃度で第2導電型不純物が導入された部分分離領域と、
前記絶縁体上に前記半導体層が存在しない完全分離領域とを有し、
前記ゲート電極は、前記素子領域上から前記部分分離領域上に延長された延長部を有し、この延長部と前記半導体層との間に前記ゲート絶縁膜より厚いフィールド絶縁膜が介在し、
前記完全分離領域は、前記電界効果型トランジスタのソース/ドレイン領域のゲート電極延長方向に平行な側面の少なくとも一部の領域に接して設けられ、
前記部分分離領域のうち、前記素子領域に接する一部の領域の不純物濃度が、この部分分離領域の他の領域の不純物濃度に比べて低いことを特徴とする半導体装置。
IPC (1件)：
FI (2件)：
H01L 29/78 626 B
, H01L 29/78 621
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (3件)
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