不揮発性半導体メモリ

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (7件)：鈴江武彦 , 村松貞男 , 坪井淳 , 橋本良郎 , 河野哲 , 中村誠 , 河井将次
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-074039
公開番号（公開出願番号）：特開2000-268586
特許番号：特許第3808656号
出願日： 1999年03月18日
公開日（公表日）： 2000年09月29日
請求項（抜粋）：

【請求項1】消去ベリファイ時に第1制御信号を出力する制御回路と、前記第1制御信号に基づいて、第1消去ベリファイ電位又は前記第1消去ベリファイ電位よりも高い第2消去ベリファイ電位を発生する電位発生回路と、前記第1又は第2消去ベリファイ電位によりメモリセルから読み出されたデータと期待値とを比較して消去が完了したか否かを判定するベリファイ回路とを具備し、前記第1及び第2消去ベリファイ電位の差は、過消去セルが存在するか否かの基準となる過消去ベリファイ電位とデータ消去されたメモリセルの閾値分布の下限との差以上に設定されることを特徴とする不揮発性半導体メモリ。

IPC (2件)：